IGBTモジュール 1200V

シンボル

説明

価値

ユニット

v CES

集合器-放出器の電圧

1200

v

v 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

v

わかった C

コレクタ電流 @ T C =25 O C

@ T C =85 について O C

294

200

A について

わかった cm

パルスコレクター電流 t P =1ms

400

A について

P D

最大電源 消耗 @ T =175 O C

1056

W について

シンボル

説明

価値

ユニット

v RRM

繰り返しのピーク逆電圧

1200

v

わかった F

ダイオード 連続前向き 賃貸

200

A について

わかった Fm

ダイオード最大順方向電流 t P =1ms

400

A について

シンボル

説明

価値

ユニット

T jmax

交差点最大温度

175

O C

T ショウジョウ

交差点の動作温度

-40から+150

O C

T STG

保管温度 航続距離

-40から+125

O C

v ISO

絶縁電圧RMS,f=50Hz,t=1 ほんの少し

4000

v

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v 衛星

収集機から発信機へ

飽和電圧

わかった C =200A、V 遺伝子組み換え =15V T j =25 O C

1.90

2.35

v

わかった C =200A、V 遺伝子組み換え =15V T j = 125O C

2.40

わかった C =200A、V 遺伝子組み換え =15V T j =150 について O C

2.55

v 遺伝子組み換え (TH )

ゲート発信者の限界値 圧力は

わかった C =5.0 mA ,v CE = v 遺伝子組み換え , T j =25 O C

5.2

6.0

6.8

v

わかった CES

収集家 カット -オフ

現在

v CE = v CES ,v 遺伝子組み換え =0V

T j =25 O C

1.0

mA

わかった 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在

v 遺伝子組み換え = v 総エネルギー ,v CE =0V T j =25 O C

100

NA

r ゲント

内部ゲート抵抗 アンス

3.75

Ω

C ies

入力容量

v CE 電気回路が1Mhzで

v 遺伝子組み換え =0V

20.7

ロープ

C res

逆転移転

容量

0.58

ロープ

Q g

ゲートチャージ

v 遺伝子組み換え =- やってる 15...+15V

1.55

微分

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =600V,I C =200A, r g =0.75Ω,V 遺伝子組み換え =±15V T j =25 O C

374

NS

T r

昇る時間

50

NS

T D (オフ )

切断する 遅延時間

326

NS

T F

秋の時間

204

NS

e on

オン スイッチング

損失

13.8

mJ

e オフ

切断する

損失

10.4

mJ

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =600V,I C =200A, r g =0.75Ω,V 遺伝子組み換え =±15V T j = 125O C

419

NS

T r

昇る時間

63

NS

T D (オフ )

切断する 遅延時間

383

NS

T F

秋の時間

218

NS

e on

オン スイッチング

損失

20.8

mJ

e オフ

切断する

損失

11.9

mJ

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =600V,I C =200A, r g =0.75Ω,V 遺伝子組み換え =±15V T j = 150O C

419

NS

T r

昇る時間

65

NS

T D (オフ )

切断する 遅延時間

388

NS

T F

秋の時間

222

NS

e on

オン スイッチング

損失

22.9

mJ

e オフ

切断する

損失

11.9

mJ

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v F

ダイオード 前向き

圧力は

わかった F =200A、V 遺伝子組み換え =0V,T j =25 O C

1.90

2.35

v

わかった F =200A、V 遺伝子組み換え =0V,T j = 125O C

1.90

わかった F =200A、V 遺伝子組み換え =0V,T j = 150O C

1.90

Q r

回収された電荷

v r =600V,I F =200A,

-di/dt=3200A/μs,V 遺伝子組み換え =- やってる 15V T j =25 O C

10.2

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

90

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

3.40

mJ

Q r

回収された電荷

v r =600V,I F =200A,

-di/dt=3200A/μs,V 遺伝子組み換え =- やってる 15V T j = 125O C

26.2

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

132

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

9.75

mJ

Q r

回収された電荷

v r =600V,I F =200A,

-di/dt=3200A/μs,V 遺伝子組み換え =- やってる 15V T j = 150O C

30.4

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

142

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

11.3

mJ

シンボル

パラメータ

分。

タイプする

マックス。

ユニット

L CE

流れる誘導力

15

nH

r CC+EE

モジュール鉛抵抗 ターミナルからチップへ

0.25

mΩ

r thJC

ケース対ケース (IGBごとに) T) について

交差点 (Dあたり) ヨード)

0.142

0.202

総量

r thCH

ケースからヒートシンクへの（per IGBT)

ケースからヒートシンクへの（p er ダイオード）

ケースからヒートシンク (Mあたり) 臭い)

0.034

0.048

0.010

総量

m

端末接続トーク 六角ボルトM6 固定トーク 六角ボルトM6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M<br>

g

重量 の モジュール

300

g