IGBTモジュール 1200V

シンボル

説明

値

ユニット

v CES

集合器-放出器の電圧

1200

v

v 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

v

わかった C

コレクタ電流 @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

309

200

A について

わかった cm

パルスコレクター電流 t P =1ms

400

A について

P D

最大電源 消耗 @ T =175 O C

1006

W について

シンボル

説明

値

ユニット

v RRM

繰り返しのピーク逆電圧

1200

v

わかった F

ダイオード 連続前向き 賃貸

200

A について

わかった Fm

ダイオード最大順方向電流 t P =1ms

400

A について

シンボル

説明

値

ユニット

T jmax

交差点最大温度

175

O C

T ショウジョウ

交差点の動作温度

-40から+150

O C

T STG

保管温度 航続距離

-40から+125

O C

v ISO

絶縁電圧RMS,f=50Hz,t=1 ほんの少し

2500

v

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v 衛星

収集機から発信機へ

飽和電圧

わかった C =200A、V 遺伝子組み換え =15V T j =25 O C

1.70

2.15

v

わかった C =200A、V 遺伝子組み換え =15V T j =125 について O C

1.95

わかった C =200A、V 遺伝子組み換え =15V T j =150 について O C

2.00

v 遺伝子組み換え (TH )

ゲート発信者の限界値 圧力は

わかった C =5.0 mA ,v CE = v 遺伝子組み換え , T j =25 O C

5.2

6.0

6.8

v

わかった CES

収集家 カット -オフ

現在

v CE = v CES ,v 遺伝子組み換え =0V

T j =25 O C

1.0

mA

わかった 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在

v 遺伝子組み換え = v 総エネルギー ,v CE =0V T j =25 O C

400

NA

r ゲント

内部ゲート抵抗 アンス

4.0

Ω

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =600V,I C =200A, r g = 1. 1Ω、V 遺伝子組み換え =±15V T j =25 O C

150

NS

T r

昇る時間

32

NS

T D (オフ )

切断する 遅延時間

330

NS

T F

秋の時間

93

NS

e on

オン スイッチング

損失

11.2

mJ

e オフ

切断する

損失

11.3

mJ

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =600V,I C =200A, r g = 1. 1Ω、V 遺伝子組み換え =±15V T j = 125O C

161

NS

T r

昇る時間

37

NS

T D (オフ )

切断する 遅延時間

412

NS

T F

秋の時間

165

NS

e on

オン スイッチング

損失

19.8

mJ

e オフ

切断する

損失

17.0

mJ

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =600V,I C =200A, r g = 1. 1Ω、V 遺伝子組み換え =±15V T j = 150O C

161

NS

T r

昇る時間

43

NS

T D (オフ )

切断する 遅延時間

433

NS

T F

秋の時間

185

NS

e on

オン スイッチング

損失

21.9

mJ

e オフ

切断する

損失

19.1

mJ

わかった SC

SC データ

T P ≤10μs,V 遺伝子組み換え =15V

T j =150 について O C,V 定電流 =900V v 単数 ≤1200V

800

A について

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v F

ダイオード 前向き

圧力は

わかった F =200A、V 遺伝子組み換え =0V,T j =25 O C

1.65

2.10

v

わかった F =200A、V 遺伝子組み換え =0V,T j = 125O C

1.65

わかった F =200A、V 遺伝子組み換え =0V,T j = 150O C

1.65

Q r

回収された電荷

v r =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V 遺伝子組み換え =- やってる 15V T j =25 O C

17.6

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

228

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

7.7

mJ

Q r

回収された電荷

v r =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V 遺伝子組み換え =- やってる 15V T j =125 について O C

31.8

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

238

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

13.8

mJ

Q r

回収された電荷

v r =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V 遺伝子組み換え =- やってる 15V T j =150 について O C

36.6

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

247

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

15.2

mJ

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

r 25

定数抵抗

5.0

kΩ

ΔR/R

偏差 の r 100

T C = 100 O C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

電力

散熱

20.0

mW

B について 25/50

B値

r 2=R 25経験 [B 25/50 1/T 2-

半角形から

3375

K

B について 25/80

B値

r 2=R 25経験 [B 25/80 1/T 2-

半角形から

3411

K

B について 25/100

B値

r 2=R 25経験 [B 25/100 1/T 2-

半角形から

3433

K

シンボル

パラメータ

分。

タイプする

マックス。

ユニット

L CE

流れる誘導力

21

nH

r CC+EE

モジュールリード抵抗 端子からチップへ

1.80

mΩ

r thJC

ケース対ケース (IGBごとに) T) について

交差点 (Dあたり) ヨード)

0.149

0.206

総量

r thCH

ケースからヒートシンクへの（per IGBT)

ケースからヒートシンクへの（p er ダイオード）

ケースからヒートシンク (Mあたり) 臭い)

0.031

0.043

0.009

総量

m

固定螺栓:M6

3.0

6.0

N.M<br>

g

重量 の モジュール

300

g