GD150HFX170C1S、IGBTモジュール、STARPOWER

シンボル

説明

価値

ユニット

v CES

集合器-放出器の電圧

1700

v

v 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

v

わかった C

コレクタ電流 @ T C =25 O C @ T C =95 O C

229

150

A について

わかった cm

パルスコレクター電流 t P =1ms

300

A について

P D

最大電源 消耗 @ T j =175 O C

815

W について

シンボル

説明

価値

ユニット

v RRM

繰り返しのピーク リバース・ボルト 年齢

1700

v

わかった F

ダイオード 連続前向きCu rrent

150

A について

わかった Fm

ダイオード最大順方向電流 t P =1ms

300

A について

シンボル

説明

価値

ユニット

T jmax

交差点最大温度

175

O C

T ショウジョウ

交差点の動作温度

-40から+150

O C

T STG

保管温度範囲

-40から+125

O C

v ISO

絶縁電圧 RMS,f=50Hz,t= 1分前

4000

v

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v 衛星

収集機から発信機へ 飽和電圧

わかった C =150A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25 O C

1.85

2.30

v

わかった C =150A,V 遺伝子組み換え =15V T j =125 について O C

2.25

わかった C =150A,V 遺伝子組み換え =15V T j =150 について O C

2.35

v 遺伝子組み換え (TH )

ゲート発信者の限界値 圧力は

わかった C =6.0 mA ,v CE = v 遺伝子組み換え , T j =25 O C

5.6

6.2

6.8

v

わかった CES

収集家 カット -オフ 現在

v CE = v CES ,v 遺伝子組み換え =0V T j =25 O C

5.0

mA

わかった 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在

v 遺伝子組み換え = v 総エネルギー ,v CE =0V T j =25 O C

400

NA

r ゲント

内部ゲート抵抗

5.0

Ω

C ies

入力容量

v CE 電気回路が1Mhzで v 遺伝子組み換え =0V

18.1

ロープ

C res

逆転移転 容量

0.44

ロープ

Q g

ゲートチャージ

v 遺伝子組み換え =-15 ...+15V

1.41

微分

T D (on )

オンする遅延時間

v CC =900V,I C =150A, r g =3.3Ω,V 遺伝子組み換え =±15V L s =70 nH , T j =25 O C

303

NS

T r

昇る時間

75

NS

T 消して

切断する 遅延時間

417

NS

T F

秋の時間

352

NS

e on

オン スイッチング 損失

42.3

mJ

e オフ

切断する 損失

25.3

mJ

T D (on )

オンする遅延時間

v CC =900V,I C =150A, r g =3.3Ω,V 遺伝子組み換え =±15V L s =70 nH ,T j =125 について O C

323

NS

T r

昇る時間

88

NS

T 消して

切断する 遅延時間

479

NS

T F

秋の時間

509

NS

e on

オン スイッチング 損失

58.9

mJ

e オフ

切断する 損失

34.9

mJ

T D (on )

オンする遅延時間

v CC =900V,I C =150A, r g =3.3Ω,V 遺伝子組み換え =±15V L s =70 nH ,T j =150 について O C

327

NS

T r

昇る時間

90

NS

T 消して

切断する 遅延時間

498

NS

T F

秋の時間

608

NS

e on

オン スイッチング 損失

65.6

mJ

e オフ

切断する 損失

40.2

mJ

わかった SC

SC データ

T P ≤10μs v 遺伝子組み換え =15V

T j =150 について O C,V CC =1000V, v 単数 ≤1700V

600

A について

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v F

ダイオード 前向き 圧力は

わかった F =150A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =25 O C

1.80

2.25

v

わかった F =150A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =1 25O C

1.90

わかった F =150A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =1 50O C

1.95

Q r

回収された電荷

v r =900V,I F =150A,

-di/dt=1510A/μs,V 遺伝子組み換え =15V L s =70 nH , T j =25 O C

26.2

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

131

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

21.6

mJ

Q r

回収された電荷

v r =900V,I F =150A,

-di/dt=1280A/μs,V 遺伝子組み換え =15V L s =70nH, T j =125 について O C

48.0

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

140

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

40.1

mJ

Q r

回収された電荷

v r =900V,I F =150A,

-di/dt=1240A/μs,V 遺伝子組み換え =15V L s =70nH, T j =150 について O C

52.3

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

142

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

42.5

mJ

シンボル

パラメータ

分。

タイプする

マックス。

ユニット

L CE

流れる誘導力

30

nH

r CC+EE

モジュール鉛抵抗 ターミナルからチップへ

0.65

mΩ

r thJC

接合 -オー -事例 (perIGBT ) ケースへの接点 (DIあたり) オーデ)

0.184 0.368

総量

r thCH

ケースからヒートシンクへの（per IGBT) ケースからヒートシンク (pe) ダイオード) ケースからヒートシンク (Mあたり) 臭い)

0.150 0.300 0.050

総量

m

端末接続トーク スクロール M5 固定トーク 六角ボルトM6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M<br>

g

重量 の モジュール

150

g