GD150HFU120C2SD,IGBTモジュール,STARPOWER

紹介

簡単な紹介

IGBT モジュール ,製造元ストアパワー . 1200V 150A. 本当

特徴

低VCE(sat)トレンチIGBT技術
10μs短回路能力
陽性温度係数を持つ VCE (sat)
最大接合温度 175 °C
低感受性ケース
速くて柔らかい逆回復対称性のないFWD
DBC技術を用いた隔離銅基板

典型的な用途

切り替えモード電源
感電式加熱
電子溶接機

絶対値 最大 レーティング T F =25 o C しない限り違うなら記載

IGBT

シンボル	説明	価値	ユニット
V CES	集合器-放出器の電圧	1200	V
V 総エネルギー	ゲート・エミッター・ボルト	±20	V
わかった C	コレクタ電流 @ T C =25 o C @ T C =85 について o C	241 150	A について
わかった Cm	パルスコレクター電流 t p =1ms	300	A について
P D	最大電源消耗 @ T vj =150 について o C	1262	W について

ダイオード

シンボル	説明	価値	ユニット
V RRM	繰り返しのピークリバース・ボルト年齢	1200	V
わかった F	ダイオード連続前向きCu rrent	150	A について
わかった Fm	ダイオード最大順方向電流 t p =1ms	300	A について

モジュール

シンボル	説明	価値	ユニット
T vjmax	交差点最大温度	150	o C
T バイト	交差点の動作温度	-40から+125	o C
T STG	保管温度範囲	-40から+125	o C
V ISO	絶縁電圧 RMS,f=50Hz,t =1分	2500	V

IGBT 特徴 T C =25 o C しない限り違うなら記載

シンボル	パラメータ	試験条件	分。	タイプする	マックス。	ユニット
V 衛星	収集機から発信機へ飽和電圧	わかった C =150A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =25 o C		2.90	3.35	V
V 衛星	収集機から発信機へ飽和電圧	わかった C =150A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =125 について o C		3.60		V
V 遺伝子組み換え (tH )	ゲート発信者の限界値圧力は	わかった C =3.0 mA ,V CE = V 遺伝子組み換え , T vj =25 o C	5.0	6.1	7.0	V
わかった CES	収集家カット -オフ現在	V CE = V CES ,V 遺伝子組み換え =0V T vj =25 o C			5.0	mA
わかった総エネルギー	ゲート発射器の漏れ現在	V 遺伝子組み換え = V 総エネルギー ,V CE =0V T vj =25 o C			400	nA
R ゲント	内部ゲート抵抗アンス			1.50		ω
C ies	入力容量	V CE =30V,f=1MHz, V 遺伝子組み換え =0V		19.2		ロープ
C res	逆転移転容量	V CE =30V,f=1MHz, V 遺伝子組み換え =0V		0.60		ロープ
Q G	ゲートチャージ	V 遺伝子組み換え =-15...+15V		1.83		微分
t d (on )	オンする遅延時間	V CC =600V,I C =150A, R G =6.8Ω,Ls=48nH, V 遺伝子組み換え =±15V,T vj =25 o C		74		nS
t r	昇る時間			92		nS
t 消して	切断する遅延時間			401		nS
t f	秋の時間			31		nS
E on	オンスイッチング損失			19.0		mJ
E オフ	切断する損失			3.09		mJ
t d (on )	オンする遅延時間	V CC =600V,I C =150A, R G =6.8Ω, Ls=48nH, V 遺伝子組み換え =±15V,T vj =125 について o C		61		nS
t r	昇る時間			95		nS
t 消して	切断する遅延時間			444		nS
t f	秋の時間			47		nS
E on	オンスイッチング損失			22.5		mJ
E オフ	切断する損失			3.99		mJ
わかった SC	SC データ	t P ≤10μs V 遺伝子組み換え =15V T vj =125 について o C,V CC =800V V 単数 ≤1200V		975		A について

ダイオード 特徴 T C =25 o C しない限り違うなら記載

シンボル	パラメータ	試験条件	分。	タイプする	マックス。	ユニット
V F	ダイオード前向き圧力は	わかった F =150A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =2 5o C		1.85	2.30	V
V F	ダイオード前向き圧力は	わかった F =150A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =125 について o C		1.90		V
Q r	回収された電荷	V R =600V,I F =150A, -di／dt=1480A／μs,V 遺伝子組み換え =15V LS =48 nH ,T vj =25 o C		13.7		微分
わかったロープ	ピーク逆回復電流			91		A について
E レス	逆転回復エネルギー			4.01		mJ
Q r	回収された電荷	V R =600V,I F =150A, -di／dt=1560A／μs,V 遺伝子組み換え =15V LS =48 nH ,T vj =125 について o C		22.1		微分
わかったロープ	ピーク逆回復電流			111		A について
E レス	逆転回復エネルギー			6.65		mJ

モジュール 特徴 T C =25 o C しない限り違うなら記載

シンボル	パラメータ	分。	タイプする	マックス。	ユニット
L CE	流れる誘導力			30	nH
R CC+EE	モジュール鉛抵抗ターミナルからチップへ		0.35		mΩ
R thJC	接合 -オー -事例 (perIGBT ) ケースへの接点 (DIあたり) オーデ)			0.099 0.259	総量
R thCH	ケースからヒートシンクへの（per IGBT) ケースからヒートシンク (pe) ダイオード) ケースからヒートシンク (Mあたり) 臭い)		0.028 0.072 0.010		総量
M	端末接続トークスクロール M5 固定トーク六角ボルトM6	2.5 3.0		5.0 5.0	N.M<br>
G	重量のモジュール		300		g