GD150HCX170C6SA、IGBTモジュール、STARPOWER

シンボル

説明

価値

ユニット

v CES

集合器-放出器の電圧

1700

v

v 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

v

わかった C

コレクタ電流 @ T C =25 O C @ T C =100 O C

281

150

A について

わかった cm

パルスコレクター電流 t P =1ms

300

A について

P D

最大電源 消耗 @ T vj =175 O C

1136

W について

シンボル

説明

価値

ユニット

v RRM

繰り返しのピーク リバース・ボルト 年齢

1700

v

わかった F

ダイオード 連続前向きCu rrent

150

A について

わかった Fm

ダイオード最大順方向電流 t P =1ms

300

A について

シンボル

説明

価値

ユニット

T vjmax

交差点最大温度

175

O C

T バイト

交差点の動作温度

-40から+150

O C

T STG

保管温度範囲

-40から+125

O C

v ISO

絶縁電圧 RMS,f=50Hz,t= 1分前

4000

v

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v 衛星

収集機から発信機へ 飽和電圧

わかった C =150A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =25 O C

1.85

2.20

v

わかった C =150A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =125 について O C

2.25

わかった C =150A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =150 について O C

2.35

v 遺伝子組み換え (TH )

ゲート発信者の限界値 圧力は

わかった C =6.00 mA ,v CE = v 遺伝子組み換え , T vj =25 O C

5.6

6.2

6.8

v

わかった CES

収集家 カット -オフ 現在

v CE = v CES ,v 遺伝子組み換え =0V T vj =25 O C

5.0

mA

わかった 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在

v 遺伝子組み換え = v 総エネルギー ,v CE =0V T vj =25 O C

400

NA

r ゲント

内部ゲート抵抗

4.3

Ω

C ies

入力容量

v CE 電気回路が1Mhzで v 遺伝子組み換え =0V

18.1

ロープ

C res

逆転移転 容量

0.44

ロープ

Q g

ゲートチャージ

v 遺伝子組み換え =-15 ...+15V

1.41

微分

T D (on )

オンする遅延時間

v CC =900V,I C =150A, r g =0.51Ω,V 遺伝子組み換え =±15V LS =48 nH ,T vj =25 O C

206

NS

T r

昇る時間

44

NS

T 消して

切断する 遅延時間

337

NS

T F

秋の時間

331

NS

e on

オン スイッチング 損失

39.5

mJ

e オフ

切断する 損失

21.7

mJ

T D (on )

オンする遅延時間

v CC =900V,I C =150A, r g =0.51Ω,V 遺伝子組み換え =±15V LS =48 nH ,T vj =125 について O C

232

NS

T r

昇る時間

54

NS

T 消して

切断する 遅延時間

422

NS

T F

秋の時間

514

NS

e on

オン スイッチング 損失

55.3

mJ

e オフ

切断する 損失

32.7

mJ

T D (on )

オンする遅延時間

v CC =900V,I C =150A, r g =0.51Ω,V 遺伝子組み換え =±15V LS =48 nH ,T vj =150 について O C

239

NS

T r

昇る時間

57

NS

T 消して

切断する 遅延時間

442

NS

T F

秋の時間

559

NS

e on

オン スイッチング 損失

60.8

mJ

e オフ

切断する 損失

34.9

mJ

わかった SC

SC データ

T P ≤10μs v 遺伝子組み換え =15V

T vj =150 について O C,V CC =1000V,

v 単数 ≤1700V

600

A について

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v F

ダイオード 前向き 圧力は

わかった F =150A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =2 5O C

1.80

2.25

v

わかった F =150A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =125 について O C

1.95

わかった F =150A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =150 について O C

1.90

Q r

回収された電荷

v r =900V,I F =150A,

-di/dt=2464A/μs,V 遺伝子組み換え =15V LS =48 nH ,T vj =25 O C

42.8

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

142

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

22.3

mJ

Q r

回収された電荷

v r =900V,I F =150A,

-di/dt=1956A/μs,V 遺伝子組み換え =15V LS =48 nH ,T vj =125 について O C

64.7

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

147

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

35.0

mJ

Q r

回収された電荷

v r =900V,I F =150A,

-di/dt=1795A/μs,V 遺伝子組み換え =15V LS =48 nH ,T vj =150 について O C

72.0

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

148

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

38.8

mJ

シンボル

パラメータ

分。

タイプする

マックス。

ユニット

L CE

流れる誘導力

20

nH

r CC+EE

モジュール鉛抵抗 ターミナルからチップへ

1.10

mΩ

r thJC

接合 -オー -事例 (perIGBT ) ケースへの接点 (DIあたり) オーデ)

0.132 0.209

総量

r thCH

ケースからヒートシンクへの（per IGBT) ケースからヒートシンク (pe) ダイオード) ケースからヒートシンク (Mあたり) 臭い)

0.029 0.047 0.009

総量

m

端末接続トーク 六角ボルトM6 固定トーク スクロール M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M<br>

g

重量 の モジュール

350

g