GD1200SGX170A3S,IGBTモジュール,大電流IGBTモジュール,STARPOWER

シンボル

説明

価値

ユニット

v CES

集合器-放出器の電圧

1700

v

v 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

v

わかった C

コレクタ電流 @ T C =25 O C @ T C =100 O C

2206

1200

A について

わかった cm

パルスコレクター電流 t P =1ms

2400

A について

P D

最大電源 消耗 @ T j =175 O C

8.77

KW

シンボル

説明

価値

ユニット

v RRM

繰り返しのピーク リバース・ボルト 年齢

1700

v

わかった F

ダイオード 連続前向きCu rrent

1200

A について

わかった Fm

ダイオード最大順方向電流 t P =1ms

2400

A について

シンボル

説明

価値

ユニット

T jmax

交差点最大温度

175

O C

T ショウジョウ

交差点の動作温度

-40から+150

O C

T STG

保管温度範囲

-40から+125

O C

v ISO

絶縁電圧 RMS,f=50Hz,t= 1分前

4000

v

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v 衛星

収集機から発信機へ 飽和電圧

わかった C =1200A、V 遺伝子組み換え =15V T j =25 O C

1.85

2.20

v

わかった C =1200A、V 遺伝子組み換え =15V T j =125 について O C

2.25

わかった C =1200A、V 遺伝子組み換え =15V T j =150 について O C

2.35

v 遺伝子組み換え (TH )

ゲート発信者の限界値 圧力は

わかった C =48.0 mA ,v CE = v 遺伝子組み換え , T j =25 O C

5.6

6.2

6.8

v

わかった CES

収集家 カット -オフ 現在

v CE = v CES ,v 遺伝子組み換え =0V T j =25 O C

5.0

mA

わかった 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在

v 遺伝子組み換え = v 総エネルギー ,v CE =0V T j =25 O C

400

NA

r ゲント

内部ゲート抵抗

1.0

Ω

C ies

入力容量

v CE 電気回路が1Mhzで v 遺伝子組み換え =0V

145

ロープ

C res

逆転移転 容量

3.51

ロープ

Q g

ゲートチャージ

v 遺伝子組み換え =-15 ...+15V

11.3

微分

T D (on )

オンする遅延時間

v CC =900V,I C =1200A r g =1.0Ω

v 遺伝子組み換え =-9／+15V、

L s =65 nH ,T j =25 O C

440

NS

T r

昇る時間

112

NS

T 消して

切断する 遅延時間

1200

NS

T F

秋の時間

317

NS

e on

オン スイッチング 損失

271

mJ

e オフ

切断する 損失

295

mJ

T D (on )

オンする遅延時間

v CC =900V,I C =1200A r g =1.0Ω

v 遺伝子組み換え =-9／+15V、

L s =65 nH ,T j =125 について O C

542

NS

T r

昇る時間

153

NS

T 消して

切断する 遅延時間

1657

NS

T F

秋の時間

385

NS

e on

オン スイッチング 損失

513

mJ

e オフ

切断する 損失

347

mJ

T D (on )

オンする遅延時間

v CC =900V,I C =1200A r g =1.0Ω

v 遺伝子組み換え =-9／+15V、

L s =65 nH ,T j =150 について O C

547

NS

T r

昇る時間

165

NS

T 消して

切断する 遅延時間

1695

NS

T F

秋の時間

407

NS

e on

オン スイッチング 損失

573

mJ

e オフ

切断する 損失

389

mJ

わかった SC

SC データ

T P ≤10μs v 遺伝子組み換え =15V

T j =150 について O C,V CC =1000V, v 単数 ≤1700V

4800

A について

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v F

ダイオード 前向き 圧力は

わかった F =1200A、V 遺伝子組み換え =0V, T j =25℃

1.80

2.25

v

わかった F =1200A、V 遺伝子組み換え =0V, T j =125℃

1.90

わかった F =1200A、V 遺伝子組み換え =0V, T j =150℃

1.95

Q r

回収された電荷

v CC =900V,I F =1200A

-di／dt=10500A／μs、V 遺伝子組み換え =-9V、 L s =65nH,T j =25℃

190

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

844

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

192

mJ

Q r

回収された電荷

v CC =900V,I F =1200A

-di/dt=7050A/μs,V 遺伝子組み換え =-9V、 L s =65nH,T j =125℃

327

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

1094

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

263

mJ

Q r

回収された電荷

v CC =900V,I F =1200A

-di/dt=6330A/μs,V 遺伝子組み換え =-9V、 L s =65nH,T j =150℃

368

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

1111

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

275

mJ

シンボル

パラメータ

分。

タイプする

マックス。

ユニット

L CE

流れる誘導力

12

nH

r CC+EE

モジュールリード抵抗,端末からチップ

0.19

mΩ

r thJC

接合 -オー -事例 (perIGBT ) 交差点 (Dあたり) ヨード)

17.1 26.2

電力量

r thCH

事例 -オー -熱シンク (perIGBT )ケースからヒートシンクへの（p er ダイオード） ケースからヒートシンクへの（per モジュール)

9.9 15.2 6.0

電力量

m

電力端末 スクリュー:M4 電力端末 スクリュー:M8 固定螺栓:M6

1.8 8.0 4.25

2.1 10.0 5.75

N.M<br>

g

重量 の モジュール

1050

g