GD1200HFX170C3S,IGBTモジュール,大電流IGBTモジュール,STARPOWER

シンボル

説明

価値

ユニット

v CES

集合器-放出器の電圧

1700

v

v 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

v

わかった C

コレクタ電流 @ T C =25 O C @ T C =100 O C

1965

1200

A について

わかった cm

パルスコレクター電流 t P =1ms

2400

A について

P D

最大電源 消耗 @ T vj =175 O C

6.55

KW

シンボル

説明

価値

ユニット

v RRM

繰り返しのピーク リバース・ボルト 年齢

1700

v

わかった F

ダイオード 連続前向きCu rrent

1200

A について

わかった Fm

ダイオード最大順方向電流 t P =1ms

2400

A について

シンボル

説明

価値

ユニット

T vjmax

交差点最大温度

175

O C

T バイト

交差点の動作温度

-40から+150

O C

T STG

保管温度範囲

-40から+125

O C

v ISO

絶縁電圧 RMS,f=50Hz,t =1分

4000

v

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v 衛星

収集機から発信機へ 飽和電圧

わかった C =1200A、V 遺伝子組み換え =15V T vj =25 O C

1.85

2.30

v

わかった C =1200A、V 遺伝子組み換え =15V T vj =125 について O C

2.25

わかった C =1200A、V 遺伝子組み換え =15V T vj =150 について O C

2.35

v 遺伝子組み換え (TH )

ゲート発信者の限界値 圧力は

わかった C =48.0 mA ,v CE = v 遺伝子組み換え , T vj =25 O C

5.6

6.2

6.8

v

わかった CES

収集家 カット -オフ 現在

v CE = v CES ,v 遺伝子組み換え =0V T vj =25 O C

5.0

mA

わかった 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在

v 遺伝子組み換え = v 総エネルギー ,v CE =0V T vj =25 O C

400

NA

r ゲント

内部ゲート抵抗 アンス

1.6

Ω

C ies

入力容量

v CE 電気回路が25Vで,f=100KHzで, v 遺伝子組み換え =0V

142

ロープ

C res

逆転移転 容量

3.57

ロープ

Q g

ゲートチャージ

v 遺伝子組み換え =-15 ...+15V

11.8

微分

T D (on )

オンする遅延時間

v CC =900V,I C =1200A r ゲン =1.5Ω r ゲッフ =3.3Ω v 遺伝子組み換え ＝－10／＋15V,

L s ＝110nH,T vj =25 O C

700

NS

T r

昇る時間

420

NS

T 消して

切断する 遅延時間

1620

NS

T F

秋の時間

231

NS

e on

オン スイッチング 損失

616

mJ

e オフ

切断する 損失

419

mJ

T D (on )

オンする遅延時間

v CC =900V,I C =1200A r ゲン =1.5Ω r ゲッフ =3.3Ω v 遺伝子組み換え ＝－10／＋15V,

L s ＝110nH,T vj =125 について O C

869

NS

T r

昇る時間

495

NS

T 消して

切断する 遅延時間

1976

NS

T F

秋の時間

298

NS

e on

オン スイッチング 損失

898

mJ

e オフ

切断する 損失

530

mJ

T D (on )

オンする遅延時間

v CC =900V,I C =1200A r ゲン =1.5Ω r ゲッフ =3.3Ω v 遺伝子組み換え ＝－10／＋15V,

L s ＝110nH,T vj =150 について O C

941

NS

T r

昇る時間

508

NS

T 消して

切断する 遅延時間

2128

NS

T F

秋の時間

321

NS

e on

オン スイッチング 損失

981

mJ

e オフ

切断する 損失

557

mJ

わかった SC

SC データ

T P ≤10μs v 遺伝子組み換え =15V

T vj =150 について O C ,v CC =1000V,

v 単数 ≤1700V

4800

A について

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v F

ダイオード 前向き 圧力は

わかった F =1200A、V 遺伝子組み換え =0V,T vj =25 O C

1.80

2.25

v

わかった F =1200A、V 遺伝子組み換え =0V,T vj =125 について O C

1.90

わかった F =1200A、V 遺伝子組み換え =0V,T vj =150 について O C

1.95

Q r

回収された電荷

v r =900V,I F =1200A

－di／dt＝2430A／μs,V 遺伝子組み換え ＝－10V, L s ＝110nH,T vj =25 O C

217

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

490

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

108

mJ

Q r

回収された電荷

v r =900V,I F =1200A

－di／dt＝2070A／μs,V 遺伝子組み換え ＝－10V, L s ＝110nH,T vj =125 について O C

359

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

550

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

165

mJ

Q r

回収された電荷

v r =900V,I F =1200A

-di／dt=1970A／μs,V 遺伝子組み換え ＝－10V, L s ＝110nH,T vj =150 について O C

423

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

570

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

200

mJ

シンボル

パラメータ

分。

タイプする

マックス。

ユニット

L CE

流れる誘導力

20

nH

r CC+EE

モジュール鉛抵抗 ターミナルからチップへ

0.37

mΩ

r thJC

接合 -オー -事例 (perIGBT ) ケースへの接点 (DIあたり) オーデ)

22.9 44.2

電力量

r thCH

ケースからヒートシンクへの（per IGBT) ケースからヒートシンク (pe) ダイオード) ケースからヒートシンク (Mあたり) 臭い)

18.2 35.2 6.0

電力量

m

端末接続トーク スクロールM4 端末接続トーク スクロール M8 固定トーク 六角ボルトM6

1.8 8.0 4.25

2.1

10

5.75

N.M<br>

g

重量 の モジュール

1500

g