GD100HHU120C6SD、IGBTモジュール、STARPOWER

紹介

簡単な紹介

IGBT モジュール ,製造元ストアパワー . 1200V 100A. 本当

特徴

低VCE(sat)トレンチIGBT技術
10μs短回路能力
陽性温度係数を持つ VCE (sat)
最大接合温度 175 °C
低感受性ケース
速くて柔らかい逆回復対称性のないFWD
DBC技術を用いた隔離銅基板

典型的な用途

切り替えモード電源
感電式加熱
電子溶接機

絶対値 最大 レーティング T F =25 O C しない限り違うなら記載

IGBT

シンボル	説明	価値	ユニット
v CES	集合器-放出器の電圧	1200	v
v 総エネルギー	ゲート・エミッター・ボルト	±20	v
わかった C	コレクタ電流 @ T C =25 O C @ T C =75 O C	146 100	A について
わかった cm	パルスコレクター電流 t P =1ms	200	A について
P D	最大電源消耗 @ T vj =150 について O C	771	W について

ダイオード

シンボル	説明	価値	ユニット
v RRM	繰り返しのピークリバース・ボルト年齢	1200	v
わかった F	ダイオード連続前向きCu rrent	100	A について
わかった Fm	ダイオード最大順方向電流 t P =1ms	200	A について

モジュール

シンボル	説明	価値	ユニット
T vjmax	交差点最大温度	150	O C
T バイト	交差点の動作温度	-40から+125	O C
T STG	保管温度範囲	-40から+125	O C
v ISO	絶縁電圧 RMS,f=50Hz,t= 1分前	2500	v

IGBT 特徴 T C =25 O C しない限り違うなら記載

シンボル	パラメータ	試験条件	分。	タイプする	マックス。	ユニット
v 衛星	収集機から発信機へ飽和電圧	わかった C =100A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =25 O C		3.00	3.45	v
v 衛星	収集機から発信機へ飽和電圧	わかった C =100A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =125 について O C		3.80		v
v 遺伝子組み換え (TH )	ゲート発信者の限界値圧力は	わかった C =4.0 mA ,v CE = v 遺伝子組み換え , T vj =25 O C	4.5	5.5	6.5	v
わかった CES	収集家カット -オフ現在	v CE = v CES ,v 遺伝子組み換え =0V T vj =25 O C			5.0	mA
わかった総エネルギー	ゲート発射器の漏れ現在	v 遺伝子組み換え = v 総エネルギー ,v CE =0V T vj =25 O C			400	NA
r ゲント	内部ゲート抵抗アンス			1.0		Ω
C ies	入力容量	v CE 電気回路が1Mhzで v 遺伝子組み換え =0V		6.50		ロープ
C res	逆転移転容量	v CE 電気回路が1Mhzで v 遺伝子組み換え =0V		0.42		ロープ
Q g	ゲートチャージ	v 遺伝子組み換え =-15...+15V		1.10		微分
T D (on )	オンする遅延時間	v CC =600V,I C =100A, r g =9.1Ω,V 遺伝子組み換え =±15V LS =48 nH ,T vj =25 O C		38		NS
T r	昇る時間			50		NS
T 消して	切断する遅延時間			330		NS
T F	秋の時間			27		NS
e on	オンスイッチング損失			8.92		mJ
e オフ	切断する損失			2.06		mJ
T D (on )	オンする遅延時間	v CC =600V,I C =100A, r g =9.1Ω,V 遺伝子組み換え =±15V LS =48 nH ,T vj =125 について O C		37		NS
T r	昇る時間			50		NS
T 消して	切断する遅延時間			362		NS
T F	秋の時間			43		NS
e on	オンスイッチング損失			10.7		mJ
e オフ	切断する損失			3.69		mJ
わかった SC	SC データ	T P ≤10μs v 遺伝子組み換え =15V T vj =125 について O C ,v CC =900V v 単数 ≤1200V		650		A について

ダイオード 特徴 T C =25 O C しない限り違うなら記載

シンボル	パラメータ	試験条件	分。	タイプする	マックス。	ユニット
v F	ダイオード前向き圧力は	わかった F =100A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =2 5O C		1.85	2.30	v
v F	ダイオード前向き圧力は	わかった F =100A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =125 について O C		1.90		v
Q r	回収された電荷	v r =600V,I F =100A, -di/dt=2245A/μs,V 遺伝子組み換え =15V LS =48 nH ,T vj =25 O C		11.5		微分
わかったロープ	ピーク逆回復電流			101		A について
e レス	逆転回復エネルギー			4.08		mJ
Q r	回収された電荷	v r =600V,I F =100A, -di/dt=2352A/μs,V 遺伝子組み換え =15V LS =48 nH ,T vj =125 について O C		19.0		微分
わかったロープ	ピーク逆回復電流			120		A について
e レス	逆転回復エネルギー			7.47		mJ

NTC 特徴 T C =25 O C しない限り違うなら記載

シンボル	パラメータ	試験条件	分。	タイプする	マックス。	ユニット
r 25	定数抵抗			5.0		kΩ
∆R/R	偏差の r 100	T vj =100 O C,R 100=493.3Ω	-5		5	%
P 25	電力散熱				20.0	mW
B について 25/50	B値	r 2=R 25経験 [B 25/50 1/T 2- 半角形から		3375		K
B について 25/80	B値	r 2=R 25経験 [B 25/80 1/T 2- 半角形から		3411		K
B について 25/100	B値	r 2=R 25経験 [B 25/100 1/T 2- 半角形から		3433		K

モジュール 特徴 T C =25 O C しない限り違うなら記載

シンボル	パラメータ	分。	タイプする	マックス。	ユニット
L CE	流れる誘導力		21		nH
r CC+EE	モジュール鉛抵抗ターミナルからチップへ		2.60		mΩ
r thJC	接合 -オー -事例 (perIGBT ) ケースへの接点 (DIあたり) オーデ)			0.162 0.401	総量
r thCH	事例 -オー -シンク (perIGBT ) ケースからシンク (ダイオードごとに) ケースからヒートシンク (Mあたり) 臭い)		0.051 0.125 0.009		総量
m	固定トーク六角ボルトM6	3.0		6.0	N.M<br>
g	重量のモジュール		300		g