GD100HFX170C1S,IGBTモジュール,STARPOWER

シンボル

説明

価値

ユニット

v CES

集合器-放出器の電圧

1700

v

v 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

v

わかった C

コレクタ電流 @ T C =25 O C @ T C =100 O C

173

112

A について

わかった cm

パルスコレクター電流 t P =1ms

200

A について

P D

最大 電力 散熱 @ T vj =175 O C

666

W について

シンボル

説明

価値

ユニット

v RRM

繰り返しのピーク リバース・ボルト 年齢

1700

v

わかった F

ダイオード 連続前向きCu rrent

100

A について

わかった Fm

ダイオード最大順方向電流 t P =1ms

200

A について

シンボル

説明

価値

ユニット

T vjmax

交差点最大温度

175

O C

T バイト

交差点の動作温度

-40から+150

O C

T STG

保管温度範囲

-40から+125

O C

v ISO

絶縁電圧 RMS,f=50Hz,t= 1分前

4000

v

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v 衛星

収集機から発信機へ 飽和電圧

わかった C =100A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =25 O C

1.85

2.20

v

わかった C =100A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =125 について O C

2.25

わかった C =100A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =150 について O C

2.35

v 遺伝子組み換え (TH )

ゲート発信者の限界値 圧力は

わかった C =4.0 mA ,v CE = v 遺伝子組み換え , T vj =25 O C

5.6

6.2

6.8

v

わかった CES

収集家 カット -オフ 現在

v CE = v CES ,v 遺伝子組み換え =0V T vj =25 O C

5.0

mA

わかった 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在

v 遺伝子組み換え = v 総エネルギー ,v CE =0V T vj =25 O C

400

NA

r ゲント

内部ゲート抵抗

7.5

Ω

C ies

入力容量

v CE 電気回路が1Mhzで v 遺伝子組み換え =0V

12.0

ロープ

C res

逆転移転 容量

0.29

ロープ

Q g

ゲートチャージ

v 遺伝子組み換え =-15...+15V

0.94

微分

T D (on )

オンする遅延時間

v CC =900V,I C =100A, r g 電気の電圧が 遺伝子組み換え =±15V Ls=60nH,

T vj =25 O C

272

NS

T r

昇る時間

55

NS

T 消して

切断する 遅延時間

369

NS

T F

秋の時間

389

NS

e on

オン スイッチング 損失

28.2

mJ

e オフ

切断する 損失

16.4

mJ

T D (on )

オンする遅延時間

v CC =900V,I C =100A, r g 電気の電圧が 遺伝子組み換え =±15V Ls=60nH,

T vj =125 について O C

296

NS

T r

昇る時間

66

NS

T 消して

切断する 遅延時間

448

NS

T F

秋の時間

576

NS

e on

オン スイッチング 損失

40.1

mJ

e オフ

切断する 損失

24.1

mJ

T D (on )

オンする遅延時間

v CC =900V,I C =100A, r g 電気の電圧が 遺伝子組み換え =±15V Ls=60nH,

T vj =150 について O C

302

NS

T r

昇る時間

69

NS

T 消して

切断する 遅延時間

463

NS

T F

秋の時間

607

NS

e on

オン スイッチング 損失

43.9

mJ

e オフ

切断する 損失

25.7

mJ

わかった SC

SC データ

T P ≤10μs v 遺伝子組み換え =15V

T vj =150 について O C ,v CC =1000V

v 単数 ≤1700V

400

A について

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v F

ダイオード 前向き 圧力は

わかった F =100A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =2 5O C

1.80

2.25

v

わかった F =100A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =125 について O C

1.90

わかった F =100A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =150 について O C

1.95

Q r

回収された電荷

v r =900V,I F =100A,

-di/dt=1290A/μs,V 遺伝子組み換え =15V Ls=60nH,

T vj =25 O C

23.5

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

85

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

11.5

mJ

Q r

回収された電荷

v r =900V,I F =100A,

-di/dt=1020A/μs,V 遺伝子組み換え =15V Ls=60nH,

T vj =125 について O C

36.6

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

88

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

18.1

mJ

Q r

回収された電荷

v r =900V,I F =100A,

-di/dt=960A/μs,V 遺伝子組み換え =15V Ls=60nH,

T vj =150 について O C

46.2

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

91

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

24.6

mJ

シンボル

パラメータ

分。

タイプする

マックス。

ユニット

L CE

流れる誘導力

30

nH

r CC+EE

モジュール鉛抵抗 ターミナルからチップへ

0.65

mΩ

r thJC

接合 -オー -事例 (perIGBT ) 交差点 (Dあたり) ヨード)

0.225 0.391

総量

r thCH

事例 -オー -熱シンク (perIGBT )ケースからヒートシンクへの（p er ダイオード） ケースからヒートシンクへの（per モジュール)

0.158 0.274 0.050

総量

m

端末接続トーク スクロール M5 固定トーク 六角ボルトM6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M<br>

g

重量 の モジュール

150

g