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簡潔な紹介
IGBT モジュール ,製造元 ストアパワー . 750V 1000A について ,P6 .
特徴
典型的な用途
絶対値 最大 レーティング T F =25 O C しない限り 違うなら 記載
IGBT
シンボル | 説明 | 値 | ユニット |
v CES | 集合器-放出器の電圧 | 750 | v |
v 総エネルギー | ゲート・エミッター・ボルト | ±20 | v |
わかった CN | 実装されたコレクター Cu rrent | 1000 | A について |
わかった C | コレクタ電流 @ T F =125 について O C | 450 | A について |
わかった cm | パルスコレクター電流 t P =1ms | 2000 | A について |
P D | 最大電力損失 する @ T F =75 O C T vj =175 O C | 1282 | W について |
ダイオード
シンボル | 説明 | 値 | ユニット |
v RRM | 繰り返しのピーク リバース・ボルト 年齢 | 750 | v |
わかった FN | 実装されたコレクター Cu rrent | 1000 | A について |
わかった F | ダイオード 連続前向きCu rrent | 450 | A について |
わかった Fm | ダイオード最大順方向電流 t P =1ms | 2000 | A について |
モジュール
シンボル | 説明 | 価値 | ユニット |
T vjmax | 交差点最大温度 | 175 | O C |
T バイト | 動作点の温度は連続 期間中の10秒間について 30秒以内に発生 寿命中に最大3000回 | -40から+150 +150から+175 | O C |
T STG | 保管温度範囲 | -40から+125 | O C |
v ISO | 絶縁電圧RMS,f=50Hz,t=1 ほんの少し | 2500 | v |
D クリーپ | ターミナルからヒートシンクへ ターミナルからターミナルへ | 9.0 9.0 | mm |
D 明確 | ターミナルからヒートシンクへ ターミナルからターミナルへ | 4.5 4.5 | mm |
IGBT 特徴 T F =25 O C しない限り 違うなら 記載
シンボル | パラメータ | 試験条件 | 分。 | タイプする | マックス。 | ユニット | ||||||||
v 衛星 |
収集機から発信機へ 飽和電圧 | わかった C =450A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =25 O C |
| 1.10 | 1.35 |
v | ||||||||
わかった C =450A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =150 について O C |
| 1.10 |
| |||||||||||
わかった C =450A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =175 O C |
| 1.10 |
| |||||||||||
わかった C =1000A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =25 O C |
| 1.40 |
| |||||||||||
わかった C =1000A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =175 O C |
| 1.60 |
| |||||||||||
v 遺伝子組み換え (TH ) | ゲート発信者の限界値 圧力は | わかった C =12.9 mA ,v CE = v 遺伝子組み換え , T vj =25 O C | 5.5 | 6.4 | 7.0 | v | ||||||||
わかった CES | 収集家 カット -オフ 現在 | v CE = v CES ,v 遺伝子組み換え =0V T vj =25 O C |
|
| 1.0 | mA | ||||||||
わかった 総エネルギー | ゲート発射器の漏れ 現在 | v 遺伝子組み換え = v 総エネルギー ,v CE =0V T vj =25 O C |
|
| 400 | NA | ||||||||
r ゲント | 内部ゲート抵抗 |
|
| 1.2 |
| Ω | ||||||||
C ies | 入力容量 |
v CE =50V,f=100kHz, v 遺伝子組み換え =0V |
| 66.7 |
| ロープ | ||||||||
C オーエス | 輸出容量 |
| 1.50 |
| ロープ | |||||||||
C res | 逆転移転 容量 |
| 0.35 |
| ロープ | |||||||||
Q g | ゲートチャージ | v CE =400V、I C =450A v 遺伝子組み換え =-15...+15V |
| 4.74 |
| 微分 | ||||||||
T D (on ) | オンする遅延時間 |
v 定電流 =400V、I C =450A r ゲン =1.2Ω, r ゲッフ =1.0Ω v 遺伝子組み換え =-8V/+15V, L s =24nH, T vj =25 O C |
| 244 |
| NS | ||||||||
T r | 昇る時間 |
| 61 |
| NS | |||||||||
T 消して | 切断する 遅延時間 |
| 557 |
| NS | |||||||||
T F | 秋の時間 |
| 133 |
| NS | |||||||||
e on | オン スイッチング 損失 |
| 11.0 |
| mJ | |||||||||
e オフ | 切断する 損失 |
| 22.8 |
| mJ | |||||||||
T D (on ) | オンする遅延時間 |
v 定電流 =400V、I C =450A r ゲン =1.2Ω, r ゲッフ =1.0Ω v 遺伝子組み換え =-8V/+15V, L s =24nH, T vj =150 について O C |
| 260 |
| NS | ||||||||
T r | 昇る時間 |
| 68 |
| NS | |||||||||
T 消して | 切断する 遅延時間 |
| 636 |
| NS | |||||||||
T F | 秋の時間 |
| 226 |
| NS | |||||||||
e on | オン スイッチング 損失 |
| 16.9 |
| mJ | |||||||||
e オフ | 切断する 損失 |
| 32.2 |
| mJ | |||||||||
T D (on ) | オンする遅延時間 |
v 定電流 =400V、I C =450A r ゲン =1.2Ω, r ゲッフ =1.0Ω v 遺伝子組み換え =-8V/+15V, L s =24nH, T vj =175 O C |
| 264 |
| NS | ||||||||
T r | 昇る時間 |
| 70 |
| NS | |||||||||
T 消して | 切断する 遅延時間 |
| 673 |
| NS | |||||||||
T F | 秋の時間 |
| 239 |
| NS | |||||||||
e on | オン スイッチング 損失 |
| 19.2 |
| mJ | |||||||||
e オフ | 切断する 損失 |
| 33.6 |
| mJ | |||||||||
わかった SC | SC データ | T P ≤6μs v 遺伝子組み換え =15V T vj =25 O C,V 定電流 =400V, v 単数 ≤750V |
| 4900 |
| A について | ||||||||
|
| T P ≤3μs, v 遺伝子組み換え =15V T vj =175 O C,V 定電流 =400V, v 単数 ≤750V |
|
3800 |
|
|
ダイオード 特徴 T F =25 O C しない限り 違うなら 記載
シンボル | パラメータ | 試験条件 | 分。 | タイプする | マックス。 | ユニット |
v F |
ダイオード 前向き 圧力は | わかった F =450A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =2 5O C |
| 1.40 | 1.65 |
v |
わかった F =450A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =150 について O C |
| 1.35 |
| |||
わかった F =450A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =175 O C |
| 1.30 |
| |||
わかった F =1000A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =25 O C |
| 1.80 |
| |||
わかった F =1000A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =175 O C |
| 1.80 |
| |||
Q r | 回収された電荷 |
v r =400V、I F =450A -di/dt=7809A/μs,V 遺伝子組み換え =8V L s =24 nH ,T vj =25 O C |
| 18.5 |
| 微分 |
わかった ロープ | ピーク逆 回復電流 |
| 303 |
| A について | |
e レス | 逆転回復 エネルギー |
| 3.72 |
| mJ | |
Q r | 回収された電荷 |
v r =400V、I F =450A -di/dt=6940A/μs,V 遺伝子組み換え =8V L s =24 nH ,T vj =150 について O C |
| 36.1 |
| 微分 |
わかった ロープ | ピーク逆 回復電流 |
| 376 |
| A について | |
e レス | 逆転回復 エネルギー |
| 8.09 |
| mJ | |
Q r | 回収された電荷 |
v r =400V、I F =450A -di/dt=6748A/μs,V 遺伝子組み換え =8V L s =24 nH ,T vj =175 O C |
| 40.1 |
| 微分 |
わかった ロープ | ピーク逆 回復電流 |
| 383 |
| A について | |
e レス | 逆転回復 エネルギー |
| 9.01 |
| mJ |
NTC 特徴 T F =25 O C しない限り 違うなら 記載
シンボル | パラメータ | 試験条件 | 分。 | タイプする | マックス。 | ユニット |
r 25 | 定数抵抗 |
|
| 5.0 |
| kΩ |
∆R/R | 偏差 の r 100 | T C =100 O C ロープ 100=493.3Ω | -5 |
| 5 | % |
P 25 | 電力 散熱 |
|
|
| 20.0 | mW |
B について 25/50 | B値 | r 2=R 25経験 [B 25/50 1/T 2- 半角形から |
| 3375 |
| K |
B について 25/80 | B値 | r 2=R 25経験 [B 25/80 1/T 2- 半角形から |
| 3411 |
| K |
B について 25/100 | B値 | r 2=R 25経験 [B 25/100 1/T 2- 半角形から |
| 3433 |
| K |
モジュール 特徴 T F =25 O C しない限り 違うなら 記載
シンボル | パラメータ | 分。 | タイプする | マックス。 | ユニット |
L CE | 流れる誘導力 |
| 8 |
| nH |
r CC+EE | モジュールリード抵抗,端末からチップ |
| 0.75 |
| mΩ |
P | 冷却回りの最大圧 キュート T ベースプレート <40 O C T ベースプレート >40 O C (相対圧力) |
|
| 2.5 2.0 |
バー |
r thJF | 接合 -オー -冷却 流体 (perIGBT )結合冷却液 (Dあたり) ヨード) △ V/ △ t=10.0 DM 3/ほんの少し ,T F =75 O C |
| 0.068 0.105 | 0.078 0.120 | 総量 |
m | 端末接続トーク スクロール M5 固定トーク スクロールM4 | 3.6 1.8 |
| 4.4 2.2 | N.M<br> |
g | 重量 の モジュール |
| 750 |
| g |
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