高速ターンオフサイリスタモジュール

VRRM,VDRM

タイプとアウトライン

600V

機体・機体・機体・機体

MHx75-06-216F3B について

800V

機体・機体・機体・機体

MHx75-08-216F3B について

1000V

機体について

MHx75-10-216F3B について

1200V

機体について

MHx75-12-216F3B について

1400V

機体・機体・機体・機体

MHx75-14-216F3B について

1600V

機体・機体・機体・機体

MHx75-16-216F3B について

1800V

機体について

MHx75-18-216F3B について

1800V

機体について

シンボル

特徴

試験条件

Tj( 。C)

価値

ユニット

ほんの少し

タイプ

マックス

IT(AV)

平均オン状態電流

180。半シナス波 50Hz 片側冷却 Tc=85 。C

125

75

A について

IT(RMS)

RMSオン状態電流

118

A について

Idrm Irrm

繰り返しピーク電流

VDRMおよびVRRMで

125

30

mA

わかった _{ターミナル・マスク}

サージオン状態電流

10ms半正弦波 VR=60%VRRM

125

1.6

kA

わかった ²T

融解調整のためのI2t

13

10³A について ²s

v _オー

限界電圧

125

1.50

v

ロープ

オン状態スロープ抵抗

4.00

mΩ

v _ティム

ピークオン状態電圧

ITM=225A

25

2.53

v

dv/dt

オフステート電圧の急激な上昇率

VDM=67%VDRM

125

800

V/μs

di/dt

オン状態の電流の上昇の臨界速度

ゲートソース 1.5A

tr ≤0.5μs 繰り返し

125

200

A/μs

Tq

回路コミュテーションターンオフ時間

ITM=200A, tp=4000μs, VR=100V dv/dt=30V/μs, di/dt=-20A/μs

125

20

40

μs

25

6

16

μs

わかった _総額

ゲートトリガ電流

VA= 12V, IA= 1A

25

30

150

mA

v _総額

ゲートトリガ電圧

0.8

2.5

v

わかった _H

ホールディング電流

20

200

mA

ラング

ラッチ電流

1000

mA

v _GD

非トリガゲート電圧

VDM= 67%VDRM

125

0.2

v

Rth(j-c)

ジャンクションからケースへの熱抵抗

チップごとに単側冷却

0.20

°C /W

Rth(c-h)

ケースからヒートシンクまでの熱抵抗

チップごとに単側冷却

0.04

°C /W

ヴィソ

絶縁電圧

50Hz,R.M.S,t= 1分,Iiso:1mA(MAX)

2500

v

Fm

端子接続トルク(M6)

4.5

6.0

N·m

取り付けトルク(M6)

4.5

6.0

N·m

Tvj

接合温度

-40

125

°C

ターゲット・ストーブ

保存温度

-40

125

°C

ワット

重量

320

g

概要

機体用機材