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簡単な紹介
IGBT モジュール sTARPOWERによって製造された。1200V 300A。
特徴
典型的な アプリケーション
絶対値 最大 レーティング T C =25 °C しない限り 違うなら 記載
シンボル |
説明 |
GD300SGU120C2S |
ユニット |
総額 |
集合器-放出器の電圧 |
1200 |
V |
VGES |
ゲート・エミッター・ボルト |
±20 |
V |
集積回路 |
コレクタ電流 @ TC=25℃ @ TC=80°C |
440 300 |
A について |
ICM |
パルスコレクタ電流 tp=1ms |
600 |
A について |
IF |
ダイオード連続順方向電流 @ TC=80℃ |
300 |
A について |
IFM |
ダイオード最大順方向電流 tp=1ms |
600 |
A について |
病状 |
最大電力損失 @ Tj=150℃ |
2272 |
W について |
Tjmax 合計 |
交差点最大温度 |
150 |
°C |
ターゲット・ストーブ |
保管温度範囲 |
-40から+125 |
°C |
ヴィソ |
隔離電圧 RMS,f=50Hz,t=1分 |
4000 |
V |
固定トルク |
信号端回し螺栓:M4 |
1.1 から 2.0 |
|
電力端末スクリュー:M6 |
2.5 から 5.0 |
N.M<br> |
|
固定螺栓:M6 |
3.0 から 5.0 |
|
電気 特徴 の IGBT T C =25 °C しない限り 違うなら 記載
特徴から外れている
シンボル |
パラメータ |
試験条件 |
分。 |
タイプする |
マックス。 |
ユニット |
特別特別特別特別特別 |
収集-発信 突入電圧 |
Tj=25°C |
1200 |
|
|
V |
ICES |
収集器の切断 現在 |
VCE=VCES,VGE=0V,Tj=25°C |
|
|
5.0 |
mA |
ゲノム |
ゲート-エミッタリーク電流 |
VGE=VGES,VCE=0V,Tj=25°C |
|
|
400 |
nA |
特徴について
シンボル |
パラメータ |
試験条件 |
分。 |
タイプする |
マックス。 |
ユニット |
総額は |
ゲート-エミッタ閾値電圧 |
IC=3.0mA,VCE=VGE,Tj=25°C |
4.4 |
5.2 |
6.0 |
V |
|
衛星の VCE (衛星) |
収集機から発信機へ 飽和電圧 |
IC=300A,VGE=15V,Tj=25°C |
|
3.10 |
3.55 |
V |
IC=300A,VGE=15V,Tj=125°C |
|
3.45 |
|
変形する特性
シンボル |
パラメータ |
試験条件 |
分。 |
タイプする |
マックス。 |
ユニット |
t d (on ) |
オンする遅延時間 |
V CC =600V,I C =300A R G =3.3Ω V 遺伝子組み換え =±15V T j =25 °C |
|
662 |
|
nS |
t r |
昇る時間 |
|
142 |
|
nS |
|
t d (オフ ) |
切断する 遅延時間 |
|
633 |
|
nS |
|
t f |
秋の時間 |
|
117 |
|
nS |
|
E on |
オン スイッチング 損失 |
|
19.7 |
|
mJ |
|
E オフ |
切断する 損失 |
|
22.4 |
|
mJ |
|
t d (on ) |
オンする遅延時間 |
V CC =600V,I C =300A R G =3.3Ω V 遺伝子組み換え =±15V T j =125 について °C |
|
660 |
|
nS |
t r |
昇る時間 |
|
143 |
|
nS |
|
t d (オフ ) |
切断する 遅延時間 |
|
665 |
|
nS |
|
t f |
秋の時間 |
|
137 |
|
nS |
|
E on |
オン スイッチング 損失 |
|
24.9 |
|
mJ |
|
E オフ |
切断する 損失 |
|
28.4 |
|
mJ |
|
C ies |
入力容量 |
V CE =30V,f=1MHz, V 遺伝子組み換え =0V |
|
25.3 |
|
ロープ |
C オーエス |
輸出容量 |
|
2.25 |
|
ロープ |
|
C res |
逆転移転 容量 |
|
0.91 |
|
ロープ |
|
|
わかった SC |
SC データ |
t P ≤10μs,V 遺伝子組み換え =15 V, T j =125 について °C V CC =900V V 単数 ≤1200V |
|
2550 |
|
A について |
L CE |
流れる誘導力 |
|
|
|
20 |
nH |
|
R CC+EE |
模板リード 抵抗力 ターミナルからチップへ |
|
|
0.18 |
|
mΩ |
電気 特徴 の ダイオード T C =25 °C しない限り 違うなら 記載
シンボル |
パラメータ |
試験条件 |
分。 |
タイプする |
マックス。 |
ユニット |
|
V F |
ダイオード 前向き 圧力は |
わかった F =300A |
T j =25 °C |
|
1.82 |
2.25 |
V |
T j =125 について °C |
|
1.95 |
|
||||
Q r |
回復した 充電 |
わかった F =300A V R =600V R G =3.3Ω V 遺伝子組み換え =15V |
T j =25 °C |
|
29.5 |
|
微分 |
T j =125 について °C |
|
42.3 |
|
||||
わかった ロープ |
ピーク逆 回復電流 |
T j =25 °C |
|
210 |
|
A について |
|
T j =125 について °C |
|
272 |
|
||||
E レス |
逆転回復 エネルギー |
T j =25 °C |
|
16.4 |
|
mJ |
|
T j =125 について °C |
|
22.7 |
|
||||
熱特性 ics
シンボル |
パラメータ |
タイプする |
マックス。 |
ユニット |
R θ JC さん |
ケース対ケース (IGBごとに) T) について |
|
0.055 |
総量 |
R θ JC さん |
交差点 (Dあたり) ヨード) |
|
0.092 |
総量 |
R θ CS |
ケースからシンク (電導性油脂の適用) 嘘) |
0.035 |
|
総量 |
重量 |
重量 モジュール |
300 |
|
g |
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