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簡潔な紹介
IGBT モジュール STARPOWERによって製造された。1200V 300A。
特徴
典型的な 申請
絶対値 最大 レーティング T C =25 °C しない限り 違うなら 記載
シンボル | 説明 | GD300SGU120C2S | ユニット |
総額 | 集合器-放出器の電圧 | 1200 | v |
VGES | ゲート・エミッター・ボルト | ±20 | v |
集積回路 | コレクタ電流 @ TC=25℃ @ TC=80°C | 440 300 | A について |
ICM | パルスコレクタ電流 tp=1ms | 600 | A について |
IF | ダイオード連続順方向電流 @ TC=80℃ | 300 | A について |
IFM | ダイオード最大順方向電流 tp=1ms | 600 | A について |
病状 | 最大電力損失 @ Tj=150℃ | 2272 | W について |
Tjmax 合計 | 交差点最大温度 | 150 | °C |
ターゲット・ストーブ | 保管温度範囲 | -40から+125 | °C |
ヴィソ | 隔離電圧 RMS,f=50Hz,t=1分 | 4000 | v |
固定トルク | 信号端回し螺栓:M4 | 1.1 から 2.0 |
|
電力端末スクリュー:M6 | 2.5 から 5.0 | N.M<br> | |
固定螺栓:M6 | 3.0 から 5.0 |
|
電気 特徴 の IGBT T C =25 °C しない限り 違うなら 記載
特徴から外れている
シンボル | パラメータ | 試験条件 | 分。 | タイプする | マックス。 | ユニット |
特別特別特別特別特別 | 収集-発信 突入電圧 | Tj=25°C | 1200 |
|
| v |
ICES | 収集器の切断 現在 | VCE=VCES,VGE=0V,Tj=25°C |
|
| 5.0 | mA |
ゲノム | ゲート-エミッタリーク電流 | VGE=VGES,VCE=0V,Tj=25°C |
|
| 400 | NA |
特徴について
シンボル | パラメータ | 試験条件 | 分。 | タイプする | マックス。 | ユニット |
総額は | ゲート-エミッタ閾値電圧 | IC=3.0mA,VCE=VGE,Tj=25°C | 4.4 | 5.2 | 6.0 | v |
衛星の VCE (衛星) |
収集機から発信機へ 飽和電圧 | IC=300A,VGE=15V,Tj=25°C |
| 3.10 | 3.55 |
v |
IC=300A,VGE=15V,Tj=125°C |
| 3.45 |
|
変形する特性
シンボル | パラメータ | 試験条件 | 分。 | タイプする | マックス。 | ユニット |
T D (on ) | オンする遅延時間 |
v 定電流 =600V,I C =300A r g =3.3Ω v 遺伝子組み換え =±15V T j =25 °C |
| 662 |
| NS |
T r | 昇る時間 |
| 142 |
| NS | |
T D (オフ ) | 切断する 遅延時間 |
| 633 |
| NS | |
T F | 秋の時間 |
| 117 |
| NS | |
e on | オン スイッチング 損失 |
| 19.7 |
| mJ | |
e オフ | 切断する 損失 |
| 22.4 |
| mJ | |
T D (on ) | オンする遅延時間 |
v 定電流 =600V,I C =300A r g =3.3Ω v 遺伝子組み換え =±15V T j =125 について °C |
| 660 |
| NS |
T r | 昇る時間 |
| 143 |
| NS | |
T D (オフ ) | 切断する 遅延時間 |
| 665 |
| NS | |
T F | 秋の時間 |
| 137 |
| NS | |
e on | オン スイッチング 損失 |
| 24.9 |
| mJ | |
e オフ | 切断する 損失 |
| 28.4 |
| mJ | |
C ies | 入力容量 |
v CE =30V,f=1MHz, v 遺伝子組み換え =0V |
| 25.3 |
| ロープ |
C オーエス | 輸出容量 |
| 2.25 |
| ロープ | |
C res | 逆転移転 容量 |
| 0.91 |
| ロープ | |
わかった SC |
SC データ | T P ≤10μs,V 遺伝子組み換え =15 V, T j =125 について °C v 定電流 =900V v 単数 ≤1200V |
|
2550 |
|
A について |
L CE | 流れる誘導力 |
|
|
| 20 | nH |
r CC+EE | 模板リード 抵抗力 ターミナルからチップへ |
|
|
0.18 |
|
mΩ |
電気 特徴 の ダイオード T C =25 °C しない限り 違うなら 記載
シンボル | パラメータ | 試験条件 | 分。 | タイプする | マックス。 | ユニット | |
v F | ダイオード 前向き 圧力は | わかった F =300A | T j =25 °C |
| 1.82 | 2.25 | v |
T j =125 について °C |
| 1.95 |
| ||||
Q r | 回復した 充電 | わかった F =300A v r =600V r g =3.3Ω v 遺伝子組み換え =15V | T j =25 °C |
| 29.5 |
| 微分 |
T j =125 について °C |
| 42.3 |
| ||||
わかった ロープ | ピーク逆 回復電流 | T j =25 °C |
| 210 |
| A について | |
T j =125 について °C |
| 272 |
| ||||
e レス | 逆転回復 エネルギー | T j =25 °C |
| 16.4 |
| mJ | |
T j =125 について °C |
| 22.7 |
|
熱特性 ics
シンボル | パラメータ | タイプする | マックス。 | ユニット |
r θ JC さん | ケース対ケース (IGBごとに) T) について |
| 0.055 | 総量 |
r θ JC さん | 交差点 (Dあたり) ヨード) |
| 0.092 | 総量 |
r θ CS | ケースからシンク (電導性油脂の適用) 嘘) | 0.035 |
| 総量 |
重量 | 重量 モジュール | 300 |
| g |
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