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IGBTモジュール 1200V

IGBTモジュール 1200V

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GD300SGU120C2S, IGBTモジュール,STARPOWER

1200V 300A

Brand:
ストアパワー
Spu:
GD300SGU120C2S
  • はじめに
  • 概要
はじめに

簡潔な紹介

IGBT モジュール STARPOWERによって製造された。1200V 300A。

特徴

  • NPT IGBT テクノロジー
  • 10μs短回路能力
  • 低スイッチング損失
  • 超高速性能で頑丈
  • 陽性温度係数を持つ VCE (sat)
  • 低感受性ケース
  • 速くて柔らかい逆回復 対称性のないFWD
  • DBC技術を用いた隔離銅基板

典型的な 申請

  • 切り替えモードの電源
  • 感電式加熱
  • 電子溶接機

絶対値 最大 レーティング T C =25 °C しない限り 違うなら 記載

シンボル

説明

GD300SGU120C2S

ユニット

総額

集合器-放出器の電圧

1200

v

VGES

ゲート・エミッター・ボルト

±20

v

集積回路

コレクタ電流 @ TC=25℃

@ TC=80°C

440

300

A について

ICM

パルスコレクタ電流 tp=1ms

600

A について

IF

ダイオード連続順方向電流 @ TC=80℃

300

A について

IFM

ダイオード最大順方向電流 tp=1ms

600

A について

病状

最大電力損失 @ Tj=150℃

2272

W について

Tjmax 合計

交差点最大温度

150

°C

ターゲット・ストーブ

保管温度範囲

-40から+125

°C

ヴィソ

隔離電圧 RMS,f=50Hz,t=1分

4000

v

固定トルク

信号端回し螺栓:M4

1.1 から 2.0

電力端末スクリュー:M6

2.5 から 5.0

N.M<br>

固定螺栓:M6

3.0 から 5.0

電気 特徴 IGBT T C =25 °C しない限り 違うなら 記載

特徴から外れている

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

特別特別特別特別特別

収集-発信

突入電圧

Tj=25°C

1200

v

ICES

収集器の切断

現在

VCE=VCES,VGE=0V,Tj=25°C

5.0

mA

ゲノム

ゲート-エミッタリーク電流

VGE=VGES,VCE=0V,Tj=25°C

400

NA

特徴について

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

総額は

ゲート-エミッタ閾値電圧

IC=3.0mA,VCE=VGE,Tj=25°C

4.4

5.2

6.0

v

衛星の VCE (衛星)

収集機から発信機へ

飽和電圧

IC=300A,VGE=15V,Tj=25°C

3.10

3.55

v

IC=300A,VGE=15V,Tj=125°C

3.45

変形する特性

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =600V,I C =300A r g =3.3Ω

v 遺伝子組み換え =±15V T j =25 °C

662

NS

T r

昇る時間

142

NS

T D (オフ )

切断する 遅延時間

633

NS

T F

秋の時間

117

NS

e on

オン スイッチング 損失

19.7

mJ

e オフ

切断する 損失

22.4

mJ

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =600V,I C =300A r g =3.3Ω

v 遺伝子組み換え =±15V T j =125 について °C

660

NS

T r

昇る時間

143

NS

T D (オフ )

切断する 遅延時間

665

NS

T F

秋の時間

137

NS

e on

オン スイッチング 損失

24.9

mJ

e オフ

切断する 損失

28.4

mJ

C ies

入力容量

v CE =30V,f=1MHz,

v 遺伝子組み換え =0V

25.3

ロープ

C オーエス

輸出容量

2.25

ロープ

C res

逆転移転

容量

0.91

ロープ

わかった SC

SC データ

T P ≤10μs,V 遺伝子組み換え =15 V,

T j =125 について °C v 定電流 =900V v 単数 ≤1200V

2550

A について

L CE

流れる誘導力

20

nH

r CC+EE

模板リード

抵抗力

ターミナルからチップへ

0.18

電気 特徴 ダイオード T C =25 °C しない限り 違うなら 記載

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v F

ダイオード 前向き

圧力は

わかった F =300A

T j =25 °C

1.82

2.25

v

T j =125 について °C

1.95

Q r

回復した

充電

わかった F =300A

v r =600V

r g =3.3Ω

v 遺伝子組み換え =15V

T j =25 °C

29.5

微分

T j =125 について °C

42.3

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

T j =25 °C

210

A について

T j =125 について °C

272

e レス

逆転回復 エネルギー

T j =25 °C

16.4

mJ

T j =125 について °C

22.7

熱特性 ics

シンボル

パラメータ

タイプする

マックス。

ユニット

r θ JC さん

ケース対ケース (IGBごとに) T) について

0.055

総量

r θ JC さん

交差点 (Dあたり) ヨード)

0.092

総量

r θ CS

ケースからシンク (電導性油脂の適用) 嘘)

0.035

総量

重量

重量 モジュール

300

g

概要

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