Y89ZKD, Dioda Pemulihan Cepat

Simbol

Karakteristik

Kondisi pengujian

Tj(℃)

nilai

unit

Min

TIPE

Max.

IF(AV)

Arus maju rata-rata

180° gelombang setengah sinus 50Hz Dingin sisi ganda,

TC=85℃

150

4000

A

VRRM

Tegangan Balik Puncak Berulang

tp=10ms

150

2100

3000

V

IRRM

Arus puncak repetitif

pada V _RRM

150

300

mA

IFSM

Arus Maju Lonjakan

10ms gelombang setengah sinus VR=0.6V _RRM

150

44

kA

I2t

I2t untuk koordinasi peleburan

9680

A ²s*10 ³

VFO

Tegangan Ambang

150

0.96

V

rF

Resistansi kemiringan maju

0.12

mΩ

VFM

Tegangan maju puncak

IFM=5000A, F=35kN

25

2.20

V

IRM

arus pemulihan terbalik

IFM=2000A, tp=4000μs, di/dt=-60A/μs, VR= 100V

150

350

A

trr

Waktu Pemulihan Kembali

12

μs

Qrr

biaya pemulihan

4300

μC

Rth(j-c)

Resistansi termal Junction ke casing

Didi pendingin dua sisi Clamping force 40kN

0.007

℃/W

Rth(c-h)

resistansi termal dari kotak ke heatsink

0.002

Fm

Kekuatan pemasangan

63

84

kN

TVj

Suhu persimpangan

-40

150

℃

TSTG

Suhu yang disimpan

-40

160

℃

Wt

Berat

1390

g

Rangka kerja

ZT84cT