Modul Diode Las

V _RSM

V _RRM

Tipe & Garis Besar

900V

800V

MDx160-08-229H3

1100V

1000V

MDx160-10-229H3

1300V

1200V

MDx160-12-229H3

1500V

1400V

MDx160-14-229H3

1700V

1600V

MDx160-16-229H3

1900V

1800V

MDx160-18-229H3

Simbol

Karakteristik

Kondisi pengujian

Tj( ° C)

nilai

unit

Min

Jenis

Max.

IF(AV)

Arus maju rata-rata

180° gelombang setengah sinus 50Hz Dingin sisi tunggal, TC=100 ° C

150

160

A

IF(RMS)

Arus maju RMS

251

A

IRRM

Arus puncak repetitif

pada VRRM

150

12

mA

IFSM

Arus Maju Lonjakan

10ms gelombang setengah sinus VR=0.6VRRM

150

4

kA

I2t

I2t untuk koordinasi peleburan

80

A2s*103

VFO

Tegangan Ambang

150

0.85

V

rF

Resistansi kemiringan maju

1.25

m Ω

VFM

Tegangan maju puncak

IFM=480A

25

1.50

V

Rth(j-c)

Resistansi termal

Junction ke casing

Dingin sisi tunggal per chip

0.20

C /W

Rth(c-h)

Resistansi termal casing ke heatsink

Dingin sisi tunggal per chip

0.08

C /W

VISO

Tegangan isolasi

50Hz,R.M.S,t=1min, Iiso:1mA(maks)

3000

V

Fm

Torsi koneksi terminal(M6)

4.5

6

N ·m

Torsi pemasangan(M6)

4.5

6

N ·m

TSTG

Suhu yang disimpan

-40

125

° C

Wt

Berat

165

g

Rangka kerja

229H3