Y76ZKD, Dioda Pemulihan Cepat

Saya _T(AV)

2570A

V _RRM

2200V 2500V

2800V 3000V

Simbol

Karakteristik

Kondisi pengujian

Tj(℃)

nilai

unit

Min

TIPE

Max.

IF(AV)

Arus maju rata-rata

180° gelombang setengah sinus 50Hz Dingin sisi ganda,

TC=85℃

150

2570

A

VRRM

Tegangan Balik Puncak Berulang

tp=10ms

150

2100

3000

V

IRRM

Arus puncak repetitif

pada VRRM

150

200

mA

IFSM

Arus Maju Lonjakan

10ms gelombang setengah sinus VR=0.6VRRM

150

23

kA

I2t

I2t untuk koordinasi peleburan

2645

A2s*103

VFO

Tegangan Ambang

150

1.20

V

rF

Resistansi kemiringan maju

0.21

mΩ

VFM

Tegangan maju puncak

IFM=3000A, F=35kN

150

1.90

V

IRM

arus pemulihan terbalik

IFM=2000A, tp=4000µs, di/dt=-60A/µs, VR=100V

150

300

A

trr

Waktu Pemulihan Kembali

5

μs

Qrr

biaya pemulihan

750

μC

Rth(j-c)

Resistansi termal Junction ke casing

Dingin sisi ganda Kekuatan pengikat 40kN

0.010

℃/W

Rth(c-h)

resistansi termal dari kotak ke heatsink

0.003

Fm

Kekuatan pemasangan

35

47

kN

TVj

Suhu persimpangan

-40

150

。C

TSTG

Suhu yang disimpan

-40

160

℃

Wt

Berat

1100

g

Rangka kerja

ZT73cT