Y75ZPA-B, Diode Las Tanpa Rumah

Saya T(AV)

18000A

V DRM ,V RRM

200V 400V

Simbol

Karakteristik

Kondisi pengujian

Tj( ℃ )

nilai

unit

Min

TIPE

Max.

IF(AV)

Arus maju rata-rata

180° gelombang setengah sinus 50Hz

Dingin sisi ganda, TC=85 。C

175

18000

A

VRRM

Tegangan Balik Puncak Berulang

tp=10ms

175

200

400

V

IRRM

Arus puncak repetitif

pada VRRM

175

80

mA

IFSM

Arus Maju Lonjakan

Gelombang setengah sinus 10ms VR=0VRRM

175

135

kA

I2t

I2t untuk koordinasi peleburan

90000

A2s*103

VFO

Tegangan Ambang

IFM=12000-24000A

175

0.75

V

rF

Resistansi kemiringan maju

0.017

mΩ

VFM

Tegangan maksimum pada keadaan on

IFM=6000A

25

1.00

V

Qrr

biaya pemulihan

IFM=2000A, tp=4000µs, di/dt=-20A/µs, VR=100V

175

300

μC

Rth(j-c)

Resistansi termal Junction ke casing

Pada 1800 sinus, pendinginan sisi ganda

0.003

。C /W

Rth(c-h)

resistansi termal dari kotak ke heatsink

0.0015

Fm

Kekuatan pemasangan

70

80

90

kN

TVj

Suhu persimpangan

-40

175

。C

TSTG

Suhu yang disimpan

-40

175

。C

Wt

Berat

540

g

Rangka kerja

Z68T