Y70ZKD, Dioda Pemulihan Cepat

Simbol

Karakteristik

Kondisi pengujian

Tj( ℃ )

nilai

unit

Min

TIPE

Max.

IF(AV)

Arus maju rata-rata

180。gelombang setengah sinus 50Hz Dingin sisi ganda,

TC=85 ℃

150

1876

A

VRRM

Tegangan Balik Puncak Berulang

tp=10ms

150

2100

3000

V

IRRM

Arus puncak repetitif

pada VRRM

150

195

mA

IFSM

Arus Maju Lonjakan

10ms gelombang setengah sinus VR=0.6VRRM

150

25

kA

I2t

I2t untuk koordinasi peleburan

3125

A ²s*10 ³

VFO

Tegangan Ambang

150

1.55

V

rF

Resistansi kemiringan maju

0.29

mΩ

VFM

Tegangan maju puncak

ITM=3000A, F=35kN

25

3.20

V

IRM

arus pemulihan terbalik

ITM=2000A, tp=4000μs, di/dt=-60A/μs, VR= 100V

150

260

A

trr

Waktu Pemulihan Kembali

10

μs

Qrr

biaya pemulihan

1300

1500

μC

Rth(j-c)

Resistansi termal Junction ke casing

Pada 180 ° sinus, pendinginan sisi ganda Gaya penjepit 35kN

0.012

℃ /W

Rth(c-h)

resistansi termal dari kotak ke heatsink

0.003

Fm

Kekuatan pemasangan

30

40

kN

TVj

Suhu persimpangan

-40

150

℃

TSTG

Suhu yang disimpan

-40

160

℃

Wt

Berat

880

g

Rangka kerja

ZT60cT