Y65ZPA-B, Diode Las Tanpa Rumah

Saya T(AV)

13500A

V DRM ,V RRM

200V 400V

Simbol

Karakteristik

Kondisi pengujian

Tj( 。C)

nilai

unit

Min

TIPE

Max.

IF(AV)

Arus maju rata-rata

180。gelombang setengah sinus 50Hz

Dinding dua sisi dingin, TC=85 。C

175

13500

A

VRRM

Tegangan Balik Puncak Berulang

tp=10ms

175

200

400

V

IRRM

Arus puncak repetitif

pada VRRM

175

75

mA

IFSM

Arus Maju Lonjakan

Gelombang setengah sinus 10ms VR=0VRRM

175

85

kA

I2t

I2t untuk koordinasi peleburan

36000

103A2s

VFO

Tegangan Ambang

IFM=10000-30000A

175

0.76

V

rF

Resistansi kemiringan maju

0.021

mΩ

VFM

Tegangan maksimum pada keadaan on

IFM=6000A

25

0.90

V

Qrr

biaya pemulihan

IFM=2000A, tp=4000µs, di/dt=-20A/µs, VR=100V

175

300

μC

Rth(j-c)

Resistansi termal Junction ke casing

Pada 1800 sinus, pendinginan sisi ganda

0.004

。C /W

Rth(c-h)

resistansi termal dari kotak ke heatsink

0.002

Fm

Kekuatan pemasangan

55

65

80

kN

TVj

Suhu persimpangan

-40

175

。C

TSTG

Suhu yang disimpan

-40

175

。C

Wt

Berat

160

g

Rangka kerja

Z58T