Y60ZKD, Dioda Pemulihan Cepat

Simbol

Karakteristik

Kondisi pengujian

Tj( ℃ )

nilai

unit

Min

TIPE

Max.

IF(AV)

Arus maju rata-rata

180° gelombang setengah sinus 50Hz Dingin sisi ganda,

TC=85 。C

150

1508

A

VRRM

Tegangan Balik Puncak Berulang

tp=10ms

150

2100

3000

V

IRRM

Arus puncak repetitif

pada VRRM

150

145

mA

IFSM

Arus Maju Lonjakan

10ms gelombang setengah sinus VR=0.6VRRM

150

20

kA

I2t

I2t untuk koordinasi peleburan

2000

A2s*103

VFO

Tegangan Ambang

150

1.58

V

rF

Resistansi kemiringan maju

0.30

mΩ

VFM

Tegangan maju puncak

ITM=2000A, F=28kN

25

2.80

V

IRM

arus pemulihan terbalik

ITM=1000A, tp=4000μs, di/dt=-60A/μs, VR=100V

150

200

A

trr

Waktu Pemulihan Kembali

8

μs

Qrr

biaya pemulihan

800

1010

μC

Rth(j-c)

Resistansi termal Junction ke casing

Pada 180 ° sinus, sisi ganda didinginkan Kekuatan penjepit 28kN

0.016

℃ /W

Rth(c-h)

resistansi termal dari kotak ke heatsink

0.004

Fm

Kekuatan pemasangan

21

30

kN

TVj

Suhu persimpangan

-40

150

℃

TSTG

Suhu yang disimpan

-40

160

℃

Wt

Berat

640

g

Rangka kerja

ZT54cT