Diode pemulihan cepat

Simbol

karakteristik

Kondisi pengujian

Tj(°C)

nilai

Unit

Min

jenis

maksimal

IF(AV)

Arus maju rata-rata

180°gelombang setengah sinus 50Hz Dingin sisi ganda,

TC=85。c

150

Aku tidak tahu.

Aku tidak tahu.

1508

a

VRRM

Tegangan Balik Puncak Berulang

tp=10ms

150

2100

Aku tidak tahu.

3000

v

IRRM

Arus puncak repetitif

pada VRRM

150

Aku tidak tahu.

Aku tidak tahu.

145

Ibu

IFSM

Arus Maju Lonjakan

10ms gelombang setengah sinus VR=0.6VRRM

150

Aku tidak tahu.

Aku tidak tahu.

20

Ka

I2t

I2t untuk koordinasi peleburan

Aku tidak tahu.

Aku tidak tahu.

2000

A2s*103

VFO

Tegangan Ambang

Aku tidak tahu.

150

Aku tidak tahu.

Aku tidak tahu.

1.58

v

rf

Resistansi kemiringan maju

Aku tidak tahu.

Aku tidak tahu.

0.30

mΩ

VFM

Tegangan maju puncak

ITM=2000A, F=28kN

25

Aku tidak tahu.

Aku tidak tahu.

2.80

v

IRM

arus pemulihan terbalik

ITM=1000A, tp=4000μs, di/dt=-60A/μs, VR=100V

Aku tidak tahu.

150

Aku tidak tahu.

200

Aku tidak tahu.

a

trr

Waktu Pemulihan Kembali

Aku tidak tahu.

8

Aku tidak tahu.

μs

Qrr

biaya pemulihan

Aku tidak tahu.

800

1010

μC

Rth(j-c)

Resistansi termal Junction ke casing

Pada 180°sinus, sisi ganda didinginkan Kekuatan penjepit 28kN

Aku tidak tahu.

Aku tidak tahu.

Aku tidak tahu.

0.016

Aku tidak tahu.

°C/W

Rth(c-h)

resistansi termal dari kotak ke heatsink

Aku tidak tahu.

Aku tidak tahu.

Aku tidak tahu.

0.004

fm

Kekuatan pemasangan

Aku tidak tahu.

Aku tidak tahu.

21

Aku tidak tahu.

30

kn

TVj

Suhu persimpangan

Aku tidak tahu.

Aku tidak tahu.

-40

Aku tidak tahu.

150

°C

TSTG

Suhu yang disimpan

Aku tidak tahu.

Aku tidak tahu.

-40

Aku tidak tahu.

160

°C

Wt

berat badan

Aku tidak tahu.

Aku tidak tahu.

Aku tidak tahu.

640

Aku tidak tahu.

g

garis besar

ZT54cT