Y60KFE, Thyristor Pemadahan Cepat Non Simetris

Simbol

Karakteristik

Kondisi pengujian

Tj( ℃ )

nilai

unit

Min

TIPE

Max.

IT(AV)

Arus rata-rata dalam keadaan hidup

180° gelombang setengah sinus 50Hz Dingin sisi ganda

t _C =55 ℃

125

1600

A

VDRM

Tegangan off-state puncak repetitif

tp=10ms

125

1200

2000

V

VRRM

Tegangan Balik Puncak Berulang

1000

1800

V

Idrm Irrm

Arus puncak repetitif

pada VDRM pada VRRM

125

120

mA

ITSM

Arus dalam keadaan hidup lonjakan

10ms gelombang setengah sinus VR=0.6VRRM

125

18

kA

I2t

I2t untuk koordinasi peleburan

1620

103A2s

VTO

Tegangan Ambang

125

1.27

V

rT

Resistansi kemiringan dalam keadaan hidup

0.22

mΩ

VTM

Tegangan puncak dalam keadaan hidup

ITM=3000A, F=28kN

20≤tq≤28

25

2.20

V

29≤tq≤50

2.00

V

dv/dt

Laju kritis kenaikan tegangan off-state

VDM=0.67VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Laju kritis kenaikan arus keadaan hidup (Non-repetitif)

VDM= 67%VDRM,

Pulsa gerbang tr ≤0.5μs IGM= 1.5A

125

1500

A/μs

Qrr

biaya pemulihan

ITM= 1000A, tp=4000μs, di/dt=-20A/μs, VR= 100V

125

750

μC

Tq

Waktu mati komutasi sirkuit

ITM= 1000A ,tp=4000μs, VR= 100V dv/dt=30V/μs ,di/dt=-20A/μs

125

15

50

μs

IGT

Arus pemicu gerbang

VA= 12V, IA= 1A

25

40

250

mA

Vgt

Tegangan pemicu gerbang

0.9

2.5

V

IH

Arus penahan

20

500

mA

IL

Arus pengunci

1000

mA

VGD

Tegangan gerbang non-pemicu

VDM=67%VDRM

125

0.3

V

Rth(j-c)

Resistansi termal Junction ke casing

Pada 180 ° sinus, pendinginan sisi ganda Gaya penjepit 32kN

0.016

℃ /W

Rth(c-h)

Resistansi termal casing ke heatsink

0.004

Fm

Kekuatan pemasangan

27

34

kN

TVj

Suhu persimpangan

-40

125

℃

TSTG

Suhu yang disimpan

-40

140

℃

Wt

Berat

640

g

Rangka kerja

KT54cT