Y50ZYD, Dioda Pemulihan Lembut

Saya _T(AV)

1500A

V _RRM

1800V 2000V

2200V 2500V

Simbol

Karakteristik

Kondisi pengujian

Tj( ℃ )

nilai

unit

Min

TIPE

Max.

IF(AV)

Arus maju rata-rata

180° gelombang setengah sinus 50Hz Dingin sisi ganda,

Tsink = 55 ℃

125

1500

A

IRRM

Arus puncak repetitif

pada VRRM

125

85

mA

IFSM

Arus Maju Lonjakan

10ms gelombang setengah sinus VR=0.6VRRM

125

19.6

kA

I2t

I2t untuk koordinasi peleburan

1920.8

A2s*103

VFO

Tegangan Ambang

125

1.16

V

rF

Resistansi kemiringan maju

0.29

mΩ

VFM

Tegangan maju puncak

@IFM=1500A,

F=24kN

25

1.76

V

@IFM=3000A,

125

2.03

VFRM

Tegangan pemulihan maksimal ke depan

di/dt=1000A/µs

125

45

V

25

28

V

IRM

arus pemulihan terbalik

IFM=1000A,tp=4000µs, -di/dt=60A/µs, VR=50V

125

144

A

trr

Waktu Pemulihan Kembali

4.5

μs

Qrr

biaya pemulihan

650

μC

Rth(j-c)

Resistansi termal Junction ke casing

Pada 180 。Sinus, sisi ganda didinginkan Kekuatan penjepit 24kN

0.021

℃ /W

Rth(c-h)

resistansi termal dari kotak ke heatsink

0.005

Fm

Kekuatan pemasangan

19

26

kN

Tjop

Rentang suhu operasi

-40

125

℃

TSTG

Suhu yang disimpan

-40

150

℃

Wt

Berat

440

g

Rangka kerja

ZT50cT