Y50ZYB, Dioda Pemulihan Lembut

Saya _T(AV)

1800A

V _RRM

800V 1000V

1200V 1400V

Simbol

Karakteristik

Kondisi pengujian

Tj( ℃ )

nilai

unit

Min

TIPE

Max.

IF(AV)

Arus maju rata-rata

180。gelombang setengah sinus 50Hz Dingin sisi ganda,

Tsink = 55 ℃

125

1800

A

IRRM

Arus puncak repetitif

pada VRRM

125

100

mA

IFSM

Arus Maju Lonjakan

10ms gelombang setengah sinus VR=0.6VRRM

125

25

kA

I2t

I2t untuk koordinasi peleburan

3125

A ²s*10 ³

VFO

Tegangan Ambang

125

1.150

V

rF

Resistansi kemiringan maju

0.138

mΩ

VFM

Tegangan maju puncak

@ IFM=3000A

F=24kN

25

1.70

V

@ IFM=4500A

125

1.77

VFRM

Tegangan pemulihan maksimal ke depan

di/dt=1000A/µs

125

14

V

25

10

V

IRM

arus pemulihan terbalik

IFM = 1000A, tp = 4000μs, -di/dt=60A/μs, VR = 50V

125

50

A

trr

Waktu Pemulihan Kembali

3.0

μs

Qrr

biaya pemulihan

150

μC

Rth(j-c)

Resistansi termal Junction ke casing

Pada 180 ° Sinus, sisi ganda didinginkan Kekuatan penjepit 24kN

0.021

℃ /W

Rth(c-h)

resistansi termal dari kotak ke heatsink

0.005

Fm

Kekuatan pemasangan

19

26

kN

Tjop

Rentang suhu operasi

-40

125

℃

TSTG

Suhu yang disimpan

-40

150

℃

Wt

Berat

440

g

Rangka kerja

ZT50cT