Y50ZPA,Diode Pengelasan

Simbol

Karakteristik

Kondisi pengujian

Tj(℃ )

nilai

unit

Min

TIPE

Max.

IF(AV)

Arus maju rata-rata

180° gelombang setengah sinus 50Hz

Dinding dua sisi dingin, TC=85 。C

175

7100

A

VRRM

Tegangan Balik Puncak Berulang

tp=10ms

175

200

400

V

IRRM

Arus puncak repetitif

pada VRRM

175

50

mA

IFSM

Arus Maju Lonjakan

Gelombang setengah sinus 10ms VR=0VRRM

175

55

kA

I2t

I2t untuk koordinasi peleburan

15000

103A2s

VFO

Tegangan Ambang

IFM=5000-15000A

175

0.74

V

rF

Resistansi kemiringan maju

0.025

mΩ

VFM

Tegangan maksimum pada keadaan on

IFM=5000A, F=30kN

25

1.05

V

Qrr

biaya pemulihan

IFM=2000A, tp=4000μs, di/dt=-20A/μs, VR= 100V

175

400

μC

Rth(j-c)

Resistansi termal Junction ke casing

Pada 1800 sine, pendinginan sisi ganda Gaya penjepit 30.0kN

0.010

。C /W

Rth(c-h)

resistansi termal dari kotak ke heatsink

0.005

Fm

Kekuatan pemasangan

20

30

40

kN

TVj

Suhu persimpangan

-40

175

。C

TSTG

Suhu yang disimpan

-40

175

。C

Wt

Berat

150

g

Rangka kerja

ZT44T