Diode pemulihan cepat

Saya _T(AV)

1208A

V _RRM

2200V 2500V

2800V 3000V

Simbol

Karakteristik

Kondisi pengujian

Tj( °C )

nilai

unit

Min

Jenis

Max.

IF(AV)

Arus maju rata-rata

180° gelombang setengah sinus 50Hz Dingin sisi ganda,

TC=85 °C

150

1208

A

VRRM

Tegangan Balik Puncak Berulang

tp=10ms

150

2100

3000

V

IRRM

Arus puncak repetitif

pada V _RRM

150

100

mA

IFSM

Arus Maju Lonjakan

10ms gelombang setengah sinus VR=0.6V _RRM

150

16

kA

I2t

I2t untuk koordinasi peleburan

1280

A ²s*10 ³

VFO

Tegangan Ambang

150

1.62

V

rF

Resistansi kemiringan maju

0.36

mΩ

VFM

Tegangan maju puncak

ITM=1500A, F=24kN

25

2.80

V

IRM

arus pemulihan terbalik

ITM=1000A, tp=4000μs, di/dt=-60A/μs, VR=100V

150

166

A

trr

Waktu Pemulihan Kembali

7

μs

Qrr

biaya pemulihan

500

650

μC

Rth(j-c)

Resistansi termal Junction ke casing

Pada 180 ° Sinus, sisi ganda didinginkan Kekuatan penjepit 24kN

0.020

°C /W

Rth(c-h)

resistansi termal dari kotak ke heatsink

0.005

Fm

Kekuatan pemasangan

19

26

kN

TVj

Suhu persimpangan

-40

150

°C

TSTG

Suhu yang disimpan

-40

160

°C

Wt

Berat

440

g

Rangka kerja

ZT50cT