Semua Kategori

Modul IGBT 1200V

Modul IGBT 1200V

beranda  / Produk / Modul IGBT / Modul IGBT 1200V

GD900HFA120C6S, Modul IGBT, STARPOWER

1200V 900A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD900HFA120C6S
  • Pengenalan
  • Rangka kerja
Pengenalan

Pengantar singkat

Modul IGBT, diproduksi oleh STARPOWER. 1200V 900A.

Fitur

  • Teknologi Trench IGBT VCE(sat) Rendah
  • Kemampuan sirkuit pendek
  • VCE(sat) dengan koefisien suhu positif
  • MaksimumSuhu persimpangan175oC
  • Kasing induktansi rendah
  • Pemulihan balik cepat & lembut anti-paralel FWD
  • Papan dasar tembaga terisolasi menggunakan teknologi DBC

Tipikal Aplikasi

  • Hibrida dan listrik VSapi
  • Inverter untuk motor drive
  • Daya yang tak terputusR pasokan

Absolute Maksimum Peringkat tC=25OC kecuali jika tidak dicatat

 

IGBT

 

Simbol

Deskripsi

Nilai

unit

VCES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

VGES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

SayaC

Arus Pengumpul @ TC= 90OC

900

A

SayaCM

Arus Kolektor Berdenyut tP= 1ms

1800

A

PD

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ Tj= 175OC

3409

W

Dioda

 

Simbol

Deskripsi

Nilai

unit

VRRM

Volt Pintu Kembali Puncak UlangUsia

1200

V

SayaF

Diode terus menerus ke depan Cur=0V,

900

A

SayaFm

Arus Maju Maksimum Dioda tP= 1ms

1800

A

SayaFSM

Arus Maju Lonjakan tP=10ms @tj=25OC   @ Tj= 150OC

4100

3000

A

Saya2t

Saya2Nilai t, tP=10ms @ Tj=25OC

@ Tj= 150OC

84000

45000

A2S

Modul

 

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

tjmax

Suhu Junction Maksimum

175

OC

tJopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

OC

tSTG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

OC

VISO

Tegangan Isolasi RMS, f=50Hz, t= 1 menit

2500

V

IGBT Karakteristik tC=25OC kecuali jika tidak dicatat

 

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

 

 

VCE(sat)

 

 

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

SayaC= 900A,VGE= 15V, tj=25OC

 

1.40

1.85

 

 

V

SayaC= 900A,VGE= 15V, tj=125OC

 

1.60

 

SayaC= 900A,VGE= 15V, tj= 175OC

 

1.65

 

VGE(th)

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

SayaC= 24,0mA,VCE=VGE, tj=25OC

5.5

6.3

7.0

V

SayaCES

Kolektor Potong-MATI

arus

VCE=VCES,VGE=0V,

tj=25OC

 

 

1.0

mA

SayaGES

Kebocoran Gerbang-Emitor arus

VGE=VGES,VCE=0V,tj=25OC

 

 

400

NA

RGint

Resistensi Gerbang Dalamketurunan

 

 

0.5

 

Ω

Cies

Kapasitas input

VCE= 25V, f = 100kHz, VGE=0V

 

51.5

 

NF

Cres

Transfer Balik

Kapasitansi

 

0.36

 

NF

Qg

Biaya gerbang

VGE=- 15…+15V

 

13.6

 

μC

tD(PADA)

Waktu penundaan menyala

 

 

VCC=600V,IC=900A,Rg=0,51Ω, LS= 40nH, VGE=-8V/+15V,

tj=25OC

 

330

 

n

tR

Waktu naik

 

140

 

n

td ((off)

Matikan Waktu tunda

 

842

 

n

tF

Waktu musim gugur

 

84

 

n

EPADA

Nyalakan Beralih

kerugian

 

144

 

mJ

EMATI

Switching Matikan

kerugian

 

87.8

 

mJ

tD(PADA)

Waktu penundaan menyala

 

 

VCC=600V,IC=900A,Rg=0,51Ω, LS= 40nH, VGE=-8V/+15V,

tj=125OC

 

373

 

n

tR

Waktu naik

 

155

 

n

td ((off)

Matikan Waktu tunda

 

915

 

n

tF

Waktu musim gugur

 

135

 

n

EPADA

Nyalakan Beralih

kerugian

 

186

 

mJ

EMATI

Switching Matikan

kerugian

 

104

 

mJ

tD(PADA)

Waktu penundaan menyala

 

 

VCC=600V,IC=900A,Rg=0,51Ω, LS= 40nH, VGE=-8V/+15V,

tj= 175OC

 

390

 

n

tR

Waktu naik

 

172

 

n

td ((off)

Matikan Waktu tunda

 

950

 

n

tF

Waktu musim gugur

 

162

 

n

EPADA

Nyalakan Beralih

kerugian

 

209

 

mJ

EMATI

Switching Matikan

kerugian

 

114

 

mJ

 

 

SayaSC

 

 

Data SC

tP≤ 8μs,VGE= 15V,

tj= 150OC,VCC= 800V, VCEM 1200V

 

 

3200

 

 

A

tP≤ 6μs,VGE= 15V,

tj= 175OC,VCC= 800V, VCEM 1200V

 

 

3000

 

 

A

 

Dioda Karakteristik tC=25OC kecuali jika tidak dicatat

 

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

 

VF

Dioda Maju

Tegangan

SayaF= 900A,VGE=0V,Tj=25OC

 

1.55

2.00

 

V

SayaF= 900A,VGE=0V,Tj=125OC

 

1.65

 

SayaF= 900A,VGE=0V,Tj=175OC

 

1.55

 

QR

Muatan yang Dipulihkan

 

VR=600V,IF=900A,

-di/dt=4930A/μs,VGE=-8V,LS= 40nH,tj=25OC

 

91.0

 

μC

SayaRM

Puncak Balik

arus pemulihan

 

441

 

A

EREC

Pemulihan Terbalik energi

 

26.3

 

mJ

QR

Muatan yang Dipulihkan

 

VR=600V,IF=900A,

-di/dt=4440A/μs,VGE=-8V,LS= 40nH,tj=125OC

 

141

 

μC

SayaRM

Puncak Balik

arus pemulihan

 

493

 

A

EREC

Pemulihan Terbalik energi

 

42.5

 

mJ

QR

Muatan yang Dipulihkan

 

VR=600V,IF=900A,

-di/dt=4160A/μs,VGE=-8V,LS= 40nH,tj= 175OC

 

174

 

μC

SayaRM

Puncak Balik

arus pemulihan

 

536

 

A

EREC

Pemulihan Terbalik energi

 

52.4

 

mJ

 

NTC Karakteristik tC=25OC kecuali jika tidak dicatat

 

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

R25

Rentang Rating

 

 

5.0

 

∆R/R

Penyimpangan dari R100

tC=100 OCR100= 493,3Ω

-5

 

5

%

P25

Daya

dissipasi

 

 

 

20.0

mW

B25/50

Nilai B

R2=R25Eksp[B25/501/T2-

1/ ((298.15K))]

 

3375

 

k

B25/80

Nilai B

R2=R25Eksp[B25/801/T2-

1/ ((298.15K))]

 

3411

 

k

B25/100

Nilai B

R2=R25Eksp[B25/1001/T2-

1/ ((298.15K))]

 

3433

 

k

 

Modul Karakteristik tC=25OC kecuali jika tidak dicatat

 

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

LCE

Induktansi Sisa

 

20

 

nH

RCC+EE

Resistansi Koneksi Modul, Terminal ke Chip

 

0.80

 

RthJC

Junction-to-Case (per IGBT)

Hubungan dengan Casing (per Di)(Inggris)

 

 

0.044

0.076

K/W

 

RthCH

Kasus-ke-Heatsink (perIGBT)

Kasus-ke-Heatsink (pe)r Dioda)

Kasus-ke-Heatsink (perModul)

 

0.028

0.049

0.009

 

K/W

m

Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M5

3.0

3.0

 

6.0

6.0

N.M

g

Berat dari Modul

 

350

 

g

Rangka kerja

image(c537ef1333).png

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan menghubungi Anda segera.
Email
Nama
Nama Perusahaan
Pesan
0/1000

PRODUK TERKAIT

Punya pertanyaan tentang produk apa pun?

Tim penjualan profesional kami menunggu konsultasi Anda.
Anda dapat mengikuti daftar produk mereka dan mengajukan pertanyaan apa pun yang Anda pedulikan.

Dapatkan Penawaran

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan menghubungi Anda segera.
Email
Nama
Nama Perusahaan
Pesan
0/1000