Modul IGBT 1200V

Simbol

Deskripsi

GD2400SGT120C4S

Unit

VCES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

VGES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

SayaC

Arus Kolektor @tC=25°C

@ TC= 100°C

3800

2400

A

SayaCM

Arus Kolektor Berdenyut tP=1MS

4800

A

SayaF

Diode terus menerus ke depan Cur=0V,

2400

A

SayaFm

Arus Maju Maksimum Dioda tP= 1ms

4800

A

PD

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ Tj=175°C

12.9

kW

tjmax

Suhu Junction Maksimum

175

°C

tJopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

°C

tSTG

Suhu penyimpananRentang

-40 hingga +125

°C

VISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1Min

3400

V

Pemasangan Torsi

Sekrup Terminal Sinyal:M4

1.8 hingga 2.1

Sekrup Terminal Daya:M8

8.0 hingga 10

N.M

Sekrup Pemasangan:M6

4.25 hingga 5.75

Berat

Beratnya Modul

2300

g

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V(BR)CES

Kolektor-Emitter

Tegangan Pecah

tj=25°C

1200

V

SayaCES

Kolektor Potong-MATI

arus

VCE=VCES,VGE=0V,tj=25°C

5.0

mA

SayaGES

Kebocoran Gerbang-Emitor arus

VGE=VGES,VCE=0V, tj=25°C

400

NA

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

VGE(th)

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

SayaC=96mA,VCE=VGE, tj=25°C

5.0

5.8

6.5

V

VCE(sat)

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

SayaC=2400A,VGE= 15V, tj=25°C

1.70

2.15

V

SayaC=2400A,VGE= 15V, tj=125°C

2.00

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

tD(PADA)

Waktu penundaan menyala

VCC=600V,IC=2400A, RGon= 1.2Ω,

RGoff=0.3Ω,

VGE= ± 15V,Tj=25°C

600

n

tR

Waktu naik

215

n

tD(MATI)

Matikan Waktu tunda

810

n

tF

Waktu musim gugur

145

n

EPADA

Nyalakan Beralih

kerugian

/

mJ

EMATI

Switching Matikan

kerugian

/

mJ

tD(PADA)

Waktu penundaan menyala

VCC=600V,IC=2400A, RGon= 1.2Ω,

RGoff=0.3Ω,

VGE= ± 15V,Tj= 125°C

695

n

tR

Waktu naik

235

n

tD(MATI)

Matikan Waktu tunda

970

n

tF

Waktu musim gugur

182

n

EPADA

Nyalakan Beralih

kerugian

488

mJ

EMATI

Switching Matikan

kerugian

382

mJ

Cies

Kapasitas input

VCE=25V,f=1MHz,

VGE=0V

173

NF

Coes

Kapasitansi Output

9.05

NF

Cres

Transfer Balik

Kapasitansi

7.85

NF

SayaSC

Data SC

tP≤ 10μs,VGE=15 V,

tj=125°C,VCC=900V, VCEM≤ 1200V

9600

A

Qg

Biaya gerbang

VCC=600V,IC=2400A, VGE=-15 ﹍+15V

23.0

μC

RGint

Resistensi Gerbang Dalamketurunan

0.42

Ω

LCE

Induktansi Sisa

10

nH

RCC+EE

Kepala modul

resistansi,

terminal ke chip

0.12

mΩ

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

VF

Dioda Maju

Tegangan

SayaF=2400A

VGE=0V

tj=25°C

1.65

2.05

V

tj=125°C

1.65

QR

Dipulihkan

biaya

SayaF=2400A,

VR=600V,

RGon=0.3Ω,

VGE= 15V

tj=25°C

240

μC

tj=125°C

460

SayaRM

Puncak Balik

arus pemulihan

tj=25°C

1650

A

tj=125°C

2150

EREC

Pemulihan Terbalikenergi

tj=25°C

/

mJ

tj=125°C

208

Simbol

Parameter

- Tempel.

Maks.

Unit

RθJC

Junction-to-Case (per IGBT)

11.6

K/kW

RθJC

Hubungan ke kasus (per D)yodium)

19.7

K/kW

RθCS

Case-to-Sink (aplikasi minyak konduktif)(berbohong)

4

K/kW