Thyristor Frekuensi Tinggi

Saya T(AV)

1260A

V DRM ,V RRM

1200V 1400V

Tq

12~28µs

Simbol

Karakteristik

Kondisi pengujian

Tj( °C )

nilai

unit

Min

Jenis

Max.

IT(AV)

Arus rata-rata dalam keadaan hidup

180° gelombang setengah sinus 50Hz Dingin sisi ganda,

TC=55 。C

125

1260

A

VDRM VRRM

Tegangan off-state puncak repetitif Tegangan balik puncak repetitif

tp=10ms

125

1100

1400

V

Idrm Irrm

arus puncak berulang dari keadaan arus puncak berulang arus terbalik

pada VDRM pada VRRM

125

80

mA

ITSM

Arus dalam keadaan hidup lonjakan

10ms gelombang setengah sinus VR=0.6VRRM

125

16.3

kA

I2t

I2t untuk koordinasi peleburan

1328

A2s*103

VTO

Tegangan Ambang

125

1.65

V

rT

Resistansi kemiringan on-state

0.36

mΩ

VTM

Tegangan puncak dalam keadaan hidup

ITM=2400A, F=24kN

25

3.20

V

dv/dt

Laju kritis kenaikan tegangan off-state

VDM=0.67VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Tingkat kritis peningkatan arus pada keadaan aktif

VDM= 67%VDRM, hingga 2000A

Puls gerbang tr ≤0.5μs IGM=1.5A

125

1500

A/μs

Qrr

biaya pemulihan

ITM=1000A, tp=4000µs, di/dt=-20A/µs, VR=100V

125

87

100

μC

Tq

Waktu mati komutasi sirkuit

ITM=1000A, tp=4000μs, VR=100V dv/dt=30V/μs, di/dt=-20A/μs

125

12

28

μs

IGT

Arus pemicu gerbang

VA=12V, IA=1A

25

30

250

mA

Vgt

Tegangan pemicu gerbang

0.8

3.0

V

IH

Arus penahan

20

400

mA

IL

Arus pengunci

500

mA

VGD

Tegangan gerbang non-pemicu

VDM=67%VDRM

125

0.3

V

Rth(j-c)

Resistansi termal Junction ke casing

Pada 1800 sine, pendinginan sisi ganda Gaya penjepit 24kN

0.020

。C /W

Rth(c-h)

resistansi termal dari kotak ke heatsink

0.005

Fm

Kekuatan pemasangan

19

26

kN

TVj

Suhu persimpangan

-40

125

。C

TSTG

Suhu yang disimpan

-40

140

。C

Wt

Berat

440

g

Rangka kerja

KT50cT