Y24ZKG, Dioda Pemulihan Cepat

Saya _T(AV)

197A

V _RRM

4000V 4200V

4500V 5000V

Simbol

Karakteristik

Kondisi pengujian

Tj( ℃ )

nilai

unit

Min

TIPE

Max.

IF(AV)

Arus maju rata-rata

180° gelombang setengah sinus 50Hz Dingin sisi ganda,

TC=85 ℃

150

197

A

VRRM

Tegangan Balik Puncak Berulang

tp=10ms

150

4000

5000

V

IRRM

Arus puncak repetitif

pada V _RRM

150

25

mA

IFSM

Arus Maju Lonjakan

10ms gelombang setengah sinus VR=0.6V _RRM

150

2.7

kA

I2t

I2t untuk koordinasi peleburan

36.5

A ²s*10 ³

VFO

Tegangan Ambang

150

1.95

V

rF

Resistansi kemiringan maju

4.50

mΩ

VFM

Tegangan maju puncak

ITM=300A, F=5.0kN

25

3.80

V

IRM

arus pemulihan terbalik

ITM=1000A, tp=4000μs, di/dt=-60A/μs, VR=100V

150

40

A

trr

Waktu Pemulihan Kembali

10

μs

Qrr

biaya pemulihan

80

100

μC

Rth(j-c)

Resistansi termal Junction ke casing

Pada 180 ° sinus, pendingin sisi ganda Gaya penjepit 5.0kN

0.080

℃ /W

Rth(c-h)

resistansi termal dari kotak ke heatsink

0.020

Fm

Kekuatan pemasangan

3.3

5.5

kN

TVj

Suhu persimpangan

-40

150

℃

TSTG

Suhu yang disimpan

-40

160

℃

Wt

Berat

60

g

Rangka kerja

ZT19aT