TG1800HF17H1-S500,Modul IGBT,Jembatan Setengah IGBT,CRRC

符号 Simbol

参数名称 (nama) Parameter

条件 pengujian

Kondisi pengujian

Nilai nilai

单位 unit

V CES

集电极 -Tegangan Emitor

Tegangan kolektor-emitter

V GE = 0V, t C = 25 °C

1700

V

V GES

Gerbang -Tegangan Emitor

Tegangan gerbang-emitter

t C = 25 °C

± 20

V

Saya C

集电极电流 (mengumpulkan listrik)

Arus kolektor-emitter

t C = 85 °C, t vj Max. = 175°C

1800

A

Saya C(PK)

Arus puncak kolektor

Arus puncak kolektor

t P = 1ms

3600

A

P Max.

Kerugian maksimum bagian transistor

Maks. disipasi daya transistor

t vj = 175°C, t C = 25 °C

9.38

kW

Saya 2t

Dioda Saya 2t 值 Dioda Saya 2t

V R =0V, t P = 10ms, t vj = 175 °C

551

kA 2S

V isolasi

绝缘 listrik (模块 )

Isolasi Tegangan - per Modul

短接 semua ujung, ujung dan basis panel antara tekanan listrik ( Terminal terhubung s ke plat dasar ) AC RMS,1 Min, 50Hz, t C = 25 °C

4000

V

参数 Simbol

Keterangan

Penjelasan

值 nilai

单位 unit

Jarak merayap

Jarak merayap

Terminal -Penyebar panas

Terminal ke Heat sink

36.0

mm

Terminal -Terminal

Terminal ke Terminal

28.0

mm

Jarak isolasi Izin

Terminal -Penyebar panas

Terminal ke Heat sink

21.0

mm

Terminal -Terminal

Terminal ke Terminal

19.0

mm

Indeks jejak bocor relatif

CTI (Comparative Tracking Index)

>400

符号 Simbol

参数名称 (nama) Parameter

条件 pengujian

Kondisi pengujian

Paling kecil nilai Min.

典型值 - Tempel.

Maksimal nilai Maks.

单位 unit

R th ((j-c) IGBT

IGBT Resistansi termal junction ke casing

Termal resistance – IGBT

16

K \/ kW

R th ((j-c) Dioda

Resistansi termal sambungan dioda

Termal resistance – Dioda

33

K \/ kW

R th ((c-h) IGBT

Resistansi termal kontak (IGBT)

Termal resistance –

penutup ke heatsink (IGBT)

Pengisian daya 5Nm, Pasta termal 1W/m·K Torsi pemasangan 5Nm,

Dengan Pemasangan grease 1W/m·K

14

K \/ kW

R th ((c-h) Dioda

Resistansi termal kontak (Dioda)

Termal resistance –

penutup ke heatsink (Dioda)

Pengisian daya 5Nm, Pasta termal 1W/m·K Torsi pemasangan 5Nm,

Dengan Pemasangan grease 1W/m·K

17

K \/ kW

t vjop

bekerja dingin

Operasi junction Suhu

IGBT chip ( IGBT )

-40

150

°C

chip dioda ( Dioda )

-40

150

°C

t STG

Suhu penyimpanan

Rentang suhu penyimpanan

-40

150

°C

m

Pengisian daya

Torsi sekrup

Untuk pengencangan pemasangan – M5 Pemasangan – M5

3

6

Nm

Untuk interkoneksi sirkuit – M4

Koneksi Listrik – M4

1.8

2.1

Nm

Untuk interkoneksi sirkuit – M8

Koneksi Listrik – M8

8

10

Nm

符号 Simbol

参数名称 (nama) Parameter

条件 pengujian

Kondisi pengujian

Paling kecil nilai Min.

典型值 - Tempel.

Maksimal nilai Maks.

单位 unit

R th ((j-c) IGBT

IGBT Resistansi termal junction ke casing

Termal resistance – IGBT

16

K \/ kW

R th ((j-c) Dioda

Resistansi termal sambungan dioda

Termal resistance – Dioda

33

K \/ kW

R th ((c-h) IGBT

Resistansi termal kontak (IGBT)

Termal resistance –

penutup ke heatsink (IGBT)

Pengisian daya 5Nm, Pasta termal 1W/m·K Torsi pemasangan 5Nm,

Dengan Pemasangan grease 1W/m·K

14

K \/ kW

R th ((c-h) Dioda

Resistansi termal kontak (Dioda)

Termal resistance –

penutup ke heatsink (Dioda)

Pengisian daya 5Nm, Pasta termal 1W/m·K Torsi pemasangan 5Nm,

Dengan Pemasangan grease 1W/m·K

17

K \/ kW

t vjop

bekerja dingin

Operasi junction Suhu

IGBT chip ( IGBT )

-40

150

°C

chip dioda ( Dioda )

-40

150

°C

t STG

Suhu penyimpanan

Rentang suhu penyimpanan

-40

150

°C

m

Pengisian daya

Torsi sekrup

Untuk pengencangan pemasangan – M5 Pemasangan – M5

3

6

Nm

Untuk interkoneksi sirkuit – M4

Koneksi Listrik – M4

1.8

2.1

Nm

Untuk interkoneksi sirkuit – M8

Koneksi Listrik – M8

8

10

Nm

符号 Simbol

参数名称 (nama) Parameter

条件 pengujian

Kondisi pengujian

Paling kecil nilai Min.

典型值 - Tempel.

Maksimal nilai Maks.

单位 unit

R 25

nilai tahanan nominal

Dinilai hambatan

t C = 25 °C

5

kΩ

△ R /R

R100 simpangan

Deviation of R100

t C = 100 °C, R 100=493Ω

-5

5

%

P 25

daya dissipasi

Disipasi Daya

t C = 25 °C

20

mW

B 25/50

B- 值

Nilai B

R 2 = R 25Eksp [B 25/50 1/T 2 - 1/(298.15 K))]

3375

k

B 25/80

B- 值

Nilai B

R 2 = R 25Eksp [B 25/80 1/T 2 - 1/(298.15 K))]

3411

k

B 25/100

B- 值

Nilai B

R 2 = R 25Eksp [B 25/100 1/T 2 - 1/(298.15 K))]

3433

k

符号 Simbol

参数名称 (nama) Parameter

条件

Kondisi pengujian

Paling kecil nilai Min.

典型值 - Tempel.

Maksimal nilai Maks.

单位 unit

Saya CES

集电极截止电流 (mengakhiri arus listrik)

Arus pemotongan kolektor

V GE = 0V, V CE = V CES

1

mA

V GE = 0V, V CE = V CES , t vj = 150 °C

40

mA

V GE = 0V, V CE = V CES , t vj =175 °C

60

mA

Saya GES

极漏电流 (Listrik yang terputus)

Gerbang arus kebocoran

V GE = ±20V, V CE = 0V

0.5

μA

V GE (TH)

Gerbang -Tegangan ambang emitor Tegangan ambang gerbang

Saya C = 60mA, V GE = V CE

5.1

5.7

6.3

V

V CE (sat) (*)

集电极 -Tegangan jenuh emitor

Penumpukan kolektor-emitter

Tegangan

V GE = 15V, Saya C = 1800A

1.70

V

V GE = 15V, Saya C = 1800A, t vj = 150 °C

2.10

V

V GE = 15V, Saya C = 1800A, t vj = 175 °C

2.15

V

Saya F

Arus DC maju dioda Dioda arus ke depan

DC

1800

A

Saya FRM

Arus puncak berulang maju dioda Dioda arus maju puncak nt

t P = 1ms

3600

A

V F (*)

Tegangan maju dioda

Tegangan dioda ke depan

Saya F = 1800A, V GE = 0

1.60

V

Saya F = 1800A, V GE = 0, t vj = 150 °C

1.75

V

Saya F = 1800A, V GE = 0, t vj = 175 °C

1.75

V

Saya SC

arus pendek

Hubungan pendek arus

t vj = 175°C, V CC = 1000V, V GE ≤ 15V, t P ≤ 10μs,

V CE(max) = V CES – L (*) ×di/dt, IEC 60747-9

7400

A

C ies

input kapasitas listrik

Kapasitas input

V CE = 25V, V GE = 0V, F = 100KHZ

542

NF

Q g

极电荷

Biaya gerbang

± 15V

23.6

μC

C res

Kapasitas transmisi listrik ke arah belakang

Kapasitas transfer terbalik

V CE = 25V, V GE = 0V, F = 100KHZ

0.28

NF

L sCE

Modul induktansi bebas

Modul bebas inducta nce

8.4

nH

R CC ’+ EE ’

Hambatan kawat modul, terminal -chip m kawat modul resistansi, terminal-chip

Setiap saklar

per saklar

0.20

mΩ

R Gint

Hambatan gerbang internal

Gerbang Internal Resistor

1

Ω

符号 Simbol

参数名称 (nama) Parameter

条件 pengujian

Kondisi pengujian

Paling kecil nilai Min.

典型值 - Tempel.

Maksimal nilai Maks.

单位 unit

t d ((off)

Penundaan mati

Waktu penundaan pemutus

Saya C =1800A,

V CE = 900V,

V GE = ± 15V, R G ((OFF) = 0.5Ω, L S = 25nH,

P V \/dt =3800V\/μs (t vj = 150 °C).

t vj = 25 °C

1000

n

t vj = 150 °C

1200

t vj = 175 °C

1250

t F

Waktu turun Waktu musim gugur

t vj = 25 °C

245

n

t vj = 150 °C

420

t vj = 175 °C

485

E MATI

Kerugian pemutusan

Kerugian energi saat mati

t vj = 25 °C

425

mJ

t vj = 150 °C

600

t vj = 175 °C

615

t D (on)

开通延迟时间

Waktu penundaan menyala

Saya C =1800A,

V CE = 900V,

V GE = ± 15V, R G ((ON) = 0.5Ω, L S = 25nH,

P Saya \/dt = 8500A\/μs (t vj = 150 °C).

t vj = 25 °C

985

n

t vj = 150 °C

1065

t vj = 175 °C

1070

t R

上升时间 Waktu naik

t vj = 25 °C

135

n

t vj = 150 °C

205

t vj = 175 °C

210

E PADA

Kerugian saat pengaktifan

Energi menyala kerugian

t vj = 25 °C

405

mJ

t vj = 150 °C

790

t vj = 175 °C

800

Q R

Muatan pemulihan balik dioda Dioda Terbalik

biaya pemulihan

Saya F =1800A, V CE = 900V,

- D Saya F /dt = 8500A\/μs (t vj = 150 °C).

t vj = 25 °C

420

μC

t vj = 150 °C

695

t vj = 175 °C

710

Saya R

Arus pemulihan balik dioda Dioda Terbalik

arus pemulihan

t vj = 25 °C

1330

A

t vj = 150 °C

1120

t vj = 175 °C

1100

E REC

Kerugian pemulihan balik dioda Dioda Terbalik

energi pemulihan

t vj = 25 °C

265

mJ

t vj = 150 °C

400

t vj = 175 °C

420