Pengantar singkat
Thyristor/ Modul Diode , MTx 820 MFx 820 MT 800，820A ,Pendingin udara ，diproduksi oleh TECHSEM.
VRRM ,VDRM |
TIPE & Bentuk |
|
600V |
MTC820-06-416F3 |
MFC820-06-416F3 |
800V |
MTC820-08-416F3 |
MFC820-08-416F3 |
1000V |
MTC820-10-415F3 |
MFC820-10-416F3 |
1200V |
MTC820-12-416F3 |
MFC820-12-416F3 |
1400V |
MTC820-14-416F3 |
MFC820-14-416F3 |
1600V |
MTC820-16-416F3 |
MFC820-16-416F3 |
1800V |
MTC820-18-416F3 |
MFC820-18-416F3 |
1800V |
MT820-18-416F3G |
|
Fitur
Aplikasi Tipikal
|
Simbol |
Karakteristik |
Kondisi pengujian |
Tj(℃) |
nilai |
unit |
||
Min |
TIPE |
Max. |
|||||
IT(AV) |
Arus rata-rata dalam keadaan hidup |
180° gelombang setengah sinus 50Hz Pendinginan satu sisi, Tc=85℃ |
135 |
|
|
820 |
A |
IT(RMS) |
Arus on-state RMS |
180。gelombang setengah sinus 50Hz |
|
|
1287 |
A |
|
Idrm Irrm |
Arus puncak repetitif |
pada VDRM pada VRRM |
135 |
|
|
120 |
mA |
ITSM |
Arus dalam keadaan hidup lonjakan |
10ms setengah gelombang sinus, VR = 0V |
135 |
|
|
20.1 |
kA |
Saya 2t |
I2t untuk koordinasi peleburan |
|
|
2020 |
A 2s* 10 3 |
||
VTO |
Tegangan Ambang |
|
135 |
|
|
0.81 |
V |
rT |
Resistansi kemiringan dalam keadaan hidup |
|
|
0.24 |
mΩ |
||
VTM |
Tegangan puncak dalam keadaan hidup |
ITM = 1500A |
25 |
|
|
1.38 |
V |
dv/dt |
Laju kritis kenaikan tegangan off-state |
VDM=67%VDRM |
135 |
|
|
1000 |
V/μs |
di/dt |
Tingkat kritis peningkatan arus pada keadaan aktif |
Sumber gerbang 1.5A tr ≤0.5μs Berulang |
135 |
|
|
200 |
A/μs |
Tgd |
Waktu penundaan yang dikendalikan gerbang |
IG= 1A dig/dt= 1A/μs |
25 |
|
|
4 |
μs |
Tq |
Waktu mati komutasi sirkuit |
ITM=800A, tp=2000μs, VR =50V dv/dt=20V/μs,di/dt=-10A/μs |
135 |
|
250 |
|
μs |
IGT |
Arus pemicu gerbang |
VA= 12V, IA= 1A |
25 |
30 |
|
250 |
mA |
Vgt |
Tegangan pemicu gerbang |
0.8 |
|
3.0 |
V |
||
IH |
Arus penahan |
10 |
|
300 |
mA |
||
IL |
Arus pengunci |
IA=1A IG=1A dig/dt=1A/μs tg=30us |
25 |
|
|
1500 |
mA |
VGD |
Tegangan gerbang non-pemicu |
VDM=67%VDRM |
135 |
|
|
0.25 |
V |
IGD |
Arus gerbang non-trigger |
VDM=67%VDRM |
135 |
|
|
5 |
mA |
Rth(j-c) |
Resistansi termal Junction ke casing |
Dingin sisi tunggal per chip |
|
|
|
0.047 |
℃/W |
Rth(c-h) |
Resistansi termal casing ke heatsink |
Dingin sisi tunggal per chip |
|
|
|
0.015 |
℃/W |
VISO |
Tegangan isolasi |
50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX) |
|
3000 |
|
|
V |
|
Fm |
Torsi koneksi terminal(M10) |
|
|
10.0 |
|
12.0 |
Jumlah |
Torsi pemasangan(M6) |
|
|
4.5 |
|
6.0 |
Jumlah |
|
TVj |
Suhu persimpangan |
|
|
-40 |
|
135 |
℃ |
TSTG |
Suhu yang disimpan |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
Wt |
Berat |
|
|
|
1410 |
|
g |
Rangka kerja |
416F3 |
||||||
Tim penjualan profesional kami menunggu konsultasi Anda.
Anda dapat mengikuti daftar produk mereka dan mengajukan pertanyaan apa pun yang Anda pedulikan.
EN
