800A,600V~1800V, 411F3
brosur produk:Unduh
pengantar singkat
Thyristor/Diode Modulee, MTx800 MFx800 MT800,800a,pendingin air，diproduksi oleh TECHSEM.
pengantar singkat
Thyristor/Diode Modulee, MTx800 MFx800 MT800，800a,pendingin air，diproduksi oleh TECHSEM.
VRRM,VDRM | Tipe & Garis Besar | |
600v | MT3 teknologi informasi | MFx800-06-411F3 |
800V | MT3 perlengkapan rumah tangga | MFx800-08-411F3 |
1000v | MTx800-10-411F3 | MFx800-10-411F3 |
1200V | MTx800-12-411F3 | MFx800-12-411F3 |
1400V | MTx800-14-411F3 | MFx800-14-411F3 |
1600V | MTx800-16-411F3 | MFx800-16-411F3 |
1800V | MTx800-18-411F3 | MFx800-18-411F3 |
1800V | MT800-18-411F3G |
|
MTx adalah singkatan dari semua jenisMTC, MTA, MTK
MFx adalah singkatan dari semua jenisMFC, MFA, MFK
fitur
aplikasi khas
Simbol |
karakteristik |
Kondisi pengujian | Tj(°C) | nilai |
Unit | ||
Min | jenis | maksimal | |||||
IT(AV) | Arus rata-rata dalam keadaan hidup | 180°gelombang setengah sinus 50Hz Satu sisi didinginkan, THS=55°C |
125 |
|
| 800 | a |
IT(RMS) | Arus on-state RMS |
|
| 1256 | a | ||
Idrm Irrm | Arus puncak repetitif | pada VDRM pada VRRM | 125 |
|
| 45 | Ibu |
ITSM | Arus dalam keadaan hidup lonjakan | VR=60%VRRM, t= 10ms setengah sinus | 125 |
|
| 22.0 | Ka |
I2t | I2t untuk koordinasi peleburan | 125 |
|
| 2420 | 103a2S | |
VTO | Tegangan Ambang |
|
125 |
|
| 0.90 | v |
rt | Resistansi kemiringan dalam keadaan hidup |
|
| 0.35 | mΩ | ||
VTM | Tegangan puncak dalam keadaan hidup | ITM=2400A | 25 |
|
| 1.95 | v |
dv/dt | Laju kritis kenaikan tegangan off-state | VDM=67%VDRM | 125 |
|
| 1000 | V/μs |
di/dt | Tingkat kritis peningkatan arus pada keadaan aktif | Sumber gerbang 1.5A tr ≤0.5μs Berulang | 125 |
|
| 200 | A/μs |
IGT | Arus pemicu gerbang |
VA= 12V, IA= 1A |
25 | 30 |
| 200 | Ibu |
Vgt | Tegangan pemicu gerbang | 0.8 |
| 3.0 | v | ||
IH | Arus penahan | 10 |
| 200 | Ibu | ||
Il | Arus pengunci |
|
| 1000 | Ibu | ||
VGD | Tegangan gerbang non-pemicu | VDM=67%VDRM | 125 |
|
| 0.20 | v |
Rth(j-c) | Resistansi termal Junction ke casing | Dingin sisi tunggal per chip |
|
|
| 0.050 | °C/W |
Rth(c-h) | Resistansi termal casing ke heatsink | Dingin sisi tunggal per chip |
|
|
| 0.024 | °C/W |
VISO | Tegangan isolasi | 50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX) |
| 3000 |
|
| v |
fm | Torsi koneksi terminal ((M12) |
|
| 12 |
| 16 | Jumlah |
Torsi pemasangan ((M8) |
|
| 10 |
| 12 | Jumlah | |
TVj | Suhu persimpangan |
|
| -40 |
| 125 | °C |
TSTG | Suhu yang disimpan |
|
| -40 |
| 125 | °C |
Wt | berat badan |
|
|
| 3230 |
| g |
garis besar | 411F3 | ||||||
tim penjualan profesional kami menunggu konsultasi Anda.
Anda dapat mengikuti daftar produk mereka dan mengajukan pertanyaan apa pun yang Anda pedulikan.
EN
