MTx1200 MFx1200,Modul Thyristor/Dioda,Pendingin Udara

MTx1200 MFx1200,Modul Thyristor/Diode,Pendinginan Udara

1200A,600V~1800V, 412F3

Brand:

TECHSEM

Spu:

MT2Pengelolaan

Appurtenance:

Brosur Produk:Unduh

Pengantar singkat

Thyristor/Modul Diode,MTx1200,MFx1200，1200A,Pendingin udara,diproduksi oleh TECHSEM.

MTx adalah singkatan darijenis MTC, MTA, MTK

MFx adalah singkatan dari setiap tipee dari MFC, MFA, MFK

Fitur

Aplikasi Tipikal

Simbol	Karakteristik	Kondisi pengujian	Tj(°C)	nilai			unit
Simbol	Karakteristik	Kondisi pengujian	Tj(°C)	Min	Jenis	Max.	unit
IT(AV)	Arus rata-rata dalam keadaan hidup	180°gelombang setengah sinus 50Hz Satu sisi didinginkan, TC=60°C	125			1200	A
IT(RMS)	Arus on-state RMS		125			1884	A
Idrm Irrm	Arus puncak repetitif	pada VDRM pada VRRM	125			55	mA
ITSM	Arus dalam keadaan hidup lonjakan	VR=60%VRRM,,t=10ms setengah sinus,	125			26	kA
I2t	I2t untuk koordinasi peleburan	VR=60%VRRM,,t=10ms setengah sinus,	125			3380	10³A²S
VTO	Tegangan Ambang		125			0.70	V
rT	Resistansi kemiringan dalam keadaan hidup		125			0.14	mΩ
VTM	Tegangan puncak dalam keadaan hidup	ITM = 3000A	25			1.96	V
dv/dt	Laju kritis kenaikan tegangan off-state	VDM=67%VDRM	125			1000	V/μs
di/dt	Tingkat kritis peningkatan arus pada keadaan aktif	Sumber gerbang 1.5A tr ≤0.5μs Berulang	125			200	A/μs
IGT	Arus pemicu gerbang	VA=12V, IA=1A	25	30		200	mA
Vgt	Tegangan pemicu gerbang			0.8		3.0	V
IH	Arus penahan			10		200	mA
IL	Arus pengunci					1500	mA
VGD	Tegangan gerbang non-pemicu	VDM=67%VDRM	125			0.20	V
Rth(j-c)	Resistansi termal Junction ke casing	Pada 180°Sinus. Sisi tunggal didinginkan per chip				0.048	°C/W
Rth(c-h)	Resistansi termal casing ke heatsink	Pada 180°Sinus. Sisi tunggal didinginkan per chip				0.020	°C/W
VISO	Tegangan isolasi	50Hz,R.M.S,t=1min,Iiso:1mA(maks)		3000			V
Fm	Torsi koneksi terminal ((M12)			12.0		16.0	Jumlah
Fm	Torsi pemasangan ((M8)			10.0		12.0	Jumlah
TVj	Suhu persimpangan			-40		125	°C
TSTG	Suhu yang disimpan			-40		125	°C
Wt	Berat				3660		g
Rangka kerja	412F3