MTx1000 MFx1000 MT1000, Thyristor/Diode Module, pendingin air

pendingin air

MTx1000 MFx1000 MT1000,Modul Thyristor/Diode,Pendinginan Air

1000A,600V~1800V, 411F3

Brand:

TECHSEM

Spu:

MTx1000 MFx1000 MT1000

Appurtenance:

brosur produk:Unduh

pengantar
garis besar
Skema Sirkuit Setara

pengantar

pengantar singkat

Thyristor/Diode Modulee, MTx1000 MFx1000 MT1000，1000a,pendingin air，diproduksi oleh TECHSEM.

VRRM,VDRM

Tipe & Garis Besar

600v

800V

1000v

1200V

1400V

1600V

1800V

MTx1000-06-411F3 MTx1000-08-411F3 MTx1000-10-411F3 MTx1000-12-411F3 MTx1000-14-411F3 MTx1000-16-411F3 MTx1000-18-411F3 MTx1000-18-411F3 MTx1000-18-411F3

MFx1000-06-411F3

MFx1000-08-411F3

MFx1000-10-411F3

MFx1000-12-411F3

MFx1000-14-411F3

MFx1000-16-411F3

MFx1000-18-411F3

MTx adalah singkatan dari setiap jenis MTC, MTA, MTK

MFx adalah singkatan dari setiap jenis MFC, MFA, MFK

fitur

Basis pemasangan terisolasi 3000V~
Teknologi kontak tekanan dengan
Kemampuan siklus daya yang meningkat
Penghematan ruang dan berat

aplikasi khas

AC/DC Motor drive
Berbagai penyearah
Pasokan DC untuk PWM inverte

Simbol	karakteristik	Kondisi pengujian	Tj(°C)	nilai			Unit
Simbol	karakteristik	Kondisi pengujian	Tj(°C)	Min	jenis	maksimal	Unit
IT(AV)	Arus rata-rata dalam keadaan hidup	180°gelombang setengah sinus 50Hz Satu sisi didinginkan, THS=55°C	125			1000	a
IT(RMS)	Arus on-state RMS		125			1570	a
Idrm Irrm	Arus puncak repetitif	pada VDRM pada VRRM	125			55	Ibu
ITSM	Arus dalam keadaan hidup lonjakan	VR=60%VRRM, t=10ms setengah sinus	125			26.0	Ka
I2t	I2t untuk koordinasi peleburan	VR=60%VRRM, t=10ms setengah sinus	125			3380	10³a²S
VTO	Tegangan Ambang		125			0.81	v
rt	Resistansi kemiringan dalam keadaan hidup		125			0.21	mΩ
VTM	Tegangan puncak dalam keadaan hidup	ITM = 3000A	25			2.05	v
dv/dt	Laju kritis kenaikan tegangan off-state	VDM=67%VDRM	125			1000	V/μs
di/dt	Tingkat kritis peningkatan arus pada keadaan aktif	Sumber gerbang 1.5A tr ≤ 0,5μs Berulang	125			200	A/μs
IGT	Arus pemicu gerbang	VA= 12V, IA= 1A	25	30		200	Ibu
Vgt	Tegangan pemicu gerbang			0.8		3.0	v
IH	Arus penahan			10		200	Ibu
Il	Arus pengunci					1000	Ibu
VGD	Tegangan gerbang non-pemicu	VDM=67%VDRM	125			0.20	v
Rth(j-c)	Resistansi termal Junction ke casing	Satu sisi didinginkan per chip				0.048	°C/W
Rth(c-h)	Resistansi termal casing ke heatsink	Satu sisi didinginkan per chip				0.018	°C/W
VISO	Tegangan isolasi	50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)		3000			v
fm	Torsi koneksi terminal ((M12)			12		16	Jumlah
fm	Torsi pemasangan ((M8)			10		12	Jumlah
TVj	Suhu persimpangan			-40		125	°C
TSTG	Suhu yang disimpan			-40		125	°C
Wt	berat badan				3230		g
garis besar	411F3