Semua Kategori

Modul Thyristor (Tipe Tidak Terisolasi)

Modul Thyristor (Tipe Tidak Terisolasi)

halaman utama /  Produk /  Modul thyristor/dioda  /  Modul Thyristor (Tipe Tidak Terisolasi)

MTG200,MTY200,Modul Tiristor ((Tipe yang Tidak Terisolasi)),TECHSEM

800V~1800V,213F4

Brand:
TECHSEM
Spu:
MTG200/MTY200
Appurtenance:

Brosur Produk:Unduh

  • Pengenalan
  • Rangka kerja
  • Skema Sirkuit Setara
Pengenalan

Pengantar singkat

Modul Thyristor (Tipe Tidak Terisolasi) ,MTG200 ,MTY200 ,diproduksi oleh TECHSEM.

VRRM,VDRM

Tipe & Garis Besar

800V

1000V

1200V

1400V

1600V

1800V

MTx200-08-213F4 MTx200-10-213F4 MTx200-12-213F4 MTx200-14-213F4 MTx200-16-213F4 MTx200-18-213F4

MFx200-08-213F4 MFx200-10-213F4 MFx200-12-213F4 MFx200-14-213F4 MFx200-16-213F4 MFx200-18-213F4

MTx adalah singkatan dari tipe MTG, MTY

MFx adalah singkatan dari tipe MFG, MFY

Fitur

  • Non-terisolasi. Pemasangan dasar sebagai terminal anoda atau kathoda
  • Teknologi kontak tekanan dengan peningkatan siklus daya kemampuan
  • Tegangan rendah pada keadaan hidup d rop

Aplikasi Tipikal

  • Sumber Daya Pengelasan
  • Berbagai sumber daya DC
  • Pasokan DC untuk PWM inverte

Simbol

Karakteristik

Kondisi pengujian

Tj( )

nilai

unit

Min

TIPE

Max.

IT(AV)

Arus rata-rata dalam keadaan hidup

180° gelombang setengah sinus 50Hz

Didinginkan sisi tunggal, TC=90

125

200

A

IT(RMS)

Arus on-state RMS

314

A

Idrm Irrm

Arus puncak repetitif

pada VDRM pada VRRM

125

20

mA

ITSM

Arus dalam keadaan hidup lonjakan

VR=60%VRRM, t=10ms setengah sinus

125

5.2

kA

I2t

I2t untuk koordinasi peleburan

125

135

103A 2S

VTO

Tegangan Ambang

125

0.80

V

rT

Resistansi kemiringan dalam keadaan hidup

1.15

VTM

Tegangan puncak dalam keadaan hidup

ITM=600A

25

1.62

V

dv/dt

Laju kritis kenaikan tegangan off-state

VDM=67%VDRM

125

800

V/μs

di/dt

Tingkat kritis peningkatan arus pada keadaan aktif

Sumber gerbang 1.5A

tr ≤0.5μs Berulang

125

100

A/μs

IGT

Arus pemicu gerbang

VA=12V, IA=1A

25

30

150

mA

Vgt

Tegangan pemicu gerbang

0.8

2.5

V

IH

Arus penahan

10

180

mA

IL

Arus pengunci

1000

mA

VGD

Tegangan gerbang non-pemicu

VDM=67%VDRM

125

0.2

V

Rth(j-c)

Resistansi termal Junction ke casing

Pada 180 sinus, Didinginkan sisi tunggal per chip

0.13

/W

Rth(c-h)

Resistansi termal casing ke heatsink

Pada 180 ° sinus, Didinginkan sisi tunggal per chip

0.10

/W

Fm

Torsi koneksi terminal(M6)

4.5

6.0

Jumlah

Torsi pemasangan(M6)

4.5

6.0

Jumlah

TVj

Suhu persimpangan

-40

125

TSTG

Suhu yang disimpan

-40

125

Wt

Berat

280

g

Rangka kerja

213F4

Rangka kerja

Skema Sirkuit Setara

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Email
Nama
Nama Perusahaan
Pesan
0/1000

PRODUK TERKAIT

Punya pertanyaan tentang produk apa pun?

Tim penjualan profesional kami menunggu konsultasi Anda.
Anda dapat mengikuti daftar produk mereka dan mengajukan pertanyaan apa pun yang Anda pedulikan.

Dapatkan Penawaran

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Email
Nama
Nama Perusahaan
Pesan
0/1000