Modul Dioda Pemulihan Cepat

VRRM

Tipe & Garis Besar

1200V

MRC100-12-224H3

Simbol

Karakteristik

Kondisi pengujian

Tj( °C )

nilai

unit

Min

Jenis

Max.

IF(AV)

Arus maju rata-rata

TC=75 °C , Per Dioda

150

100

A

TC=85 °C , 20KHz, Per Modul

75

A

IF(RMS)

Arus maju RMS

TC=75 °C , Per Dioda

150

A

IRRM

Arus puncak repetitif

pada VRRM

125

10

mA

IFSM

Arus Maju Lonjakan

VR=0V, tp=10ms

45

1100

A

VR=0V,tp=8.3ms

45

1200

Saya ²t

Saya ²t untuk koordinasi peleburan

VR=0V, tp=10ms

45

6050

10³A ²S

VR=0V,tp=8.3ms

45

7200

PD

Penghambatan Daya Maksimal

280

W

VFM

Tegangan maju puncak

IFM= 100A

25

1.58

1.80

V

125

1.35

trr

Waktu Pemulihan Kembali

I F= 1A, diF/dt=-200A/μs, VR=30V

25

90

n

trr

Waktu Pemulihan Kembali

VR=600V, IF=100A, diF/dt=-200A/μs

25

160

n

IRM

Arus balik

10

A

trr

Waktu Pemulihan Kembali

125

400

n

IRM

Arus balik

21

A

Rth(j-c)

Resistansi termal Junction ke casing

Pada 1800 sinus. Pendinginan sisi tunggal per chip

0.40

°C /W

VISO

Tegangan isolasi

50Hz,R.M.S,t= 1menit

3000

V

Fm

Torsi koneksi terminal (M5)

2.55

3.45

Jumlah

Torsi pemasangan(M6)

4.25

5.75

Jumlah

TVj

Suhu persimpangan

-40

150

°C

TSTG

Suhu yang disimpan

-40

125

°C

Wt

Berat

100

g

Rangka kerja

224H3