Modul Thyristor Turn-off Cepat

Simbol

Karakteristik

Kondisi pengujian

Tj(°C)

nilai

unit

Min

Jenis

Max.

IT(AV)

Arus rata-rata dalam keadaan hidup

Gelombang setengah sinus 180° 50Hz Didinginkan dari satu sisi,Tc=55°C

125

400

A

IT(RMS)

Arus on-state RMS

628

A

Idrm Irrm

Arus puncak repetitif

pada VDRM pada VRRM

125

80

mA

ITSM

Arus dalam keadaan hidup lonjakan

10ms gelombang setengah sinus VR=60%VRRM

125

7.8

kA

Saya ²t

I2t untuk koordinasi peleburan

310

10³A ²S

VTO

Tegangan Ambang

125

1.22

V

R _t

Resistansi kemiringan dalam keadaan hidup

0.80

mΩ

VTM

Tegangan puncak dalam keadaan hidup

ITM = 1200A

25

2.40

V

dv/dt

Laju kritis kenaikan tegangan off-state

VDM=67%VDRM

125

800

V/μs

di/dt

Tingkat kritis peningkatan arus pada keadaan aktif

Sumber gerbang 1.5A

tr ≤0.5μs Berulang

125

200

A/μs

Tq

Waktu mati komutasi sirkuit

ITM= 300A, tp= 4000μs, VR= 100V dv/dt= 30V/μs, di/dt=-20A/μs

125

20

40

μs

25

6

16

μs

IGT

Arus pemicu gerbang

VA= 12V, IA= 1A

25

30

200

mA

Vgt

Tegangan pemicu gerbang

0.8

3.0

V

IH

Arus penahan

10

200

mA

VGD

Tegangan gerbang non-pemicu

VDM= 67%VDRM

125

0.2

V

Rth(j-c)

Resistansi termal Junction ke casing

Dingin sisi tunggal per chip

0.087

°C /W

Rth(c-h)

Resistansi termal casing ke heatsink

Dingin sisi tunggal per chip

0.040

°C /W

VISO

Tegangan isolasi

50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)

2500

V

Fm

Torsi koneksi terminal(M10)

10.0

12.0

Jumlah

Torsi pemasangan(M6)

4.5

6.0

Jumlah

TVj

Suhu persimpangan

-40

125

°C

TSTG

Suhu yang disimpan

-40

125

°C

Wt

Berat

1580

g

Rangka kerja

406F3