Modul Thyristor Turn-off Cepat

VDRM, VRRM

Tipe & Garis Besar

600V

MKx300-06-405F3

MHx300-06-405F3

800V

MKx300-08-405F3

MHx300-08-405F3

1000V

MKx300-10-405F3

MHx300-10-405F3

1200V

MKx300-12-405F3

MHx300-12-405F3

1400V

MKx300-14-405F3

MHx300-14-405F3

1600V

MKx300-16-405F3

MHx300-16-405F3

1800V

MKx300-18-405F3

MHx300-18-405F3

Simbol

Karakteristik

Kondisi pengujian

Tj(°C)

nilai

unit

Min

Jenis

Max.

IT(AV)

Arus rata-rata dalam keadaan hidup

Gelombang setengah sinus 180° 50Hz Didinginkan dari satu sisi,Tc=55°C

125

300

A

IT(RMS)

Arus on-state RMS

471

A

Idrm Irrm

Arus puncak repetitif

pada VDRM pada VRRM

125

50

mA

ITSM

Arus dalam keadaan hidup lonjakan

10ms gelombang setengah sinus VR=60%VRRM

125

5.60

kA

I2t

I2t untuk koordinasi peleburan

160

A ²s* 10 ³

VTO

Tegangan Ambang

125

1.50

V

rT

Resistansi kemiringan dalam keadaan hidup

0.75

mΩ

VTM

Tegangan puncak dalam keadaan hidup

ITM=900A

25

2.20

V

dv/dt

Laju kritis kenaikan tegangan off-state

VDM=67%VDRM

125

800

V/μs

di/dt

Tingkat kritis peningkatan arus pada keadaan aktif

Sumber gerbang 1.5A

tr ≤0.5μs Berulang

125

200

A/μs

Tq

Waktu mati komutasi sirkuit

ITM=300A, tp=4000μs, VR=100V dv/dt=30V/μs, di/dt=-20A/μs

125

20

40

μs

25

6

16

μs

IGT

Arus pemicu gerbang

VA= 12V, IA= 1A

25

30

200

mA

Vgt

Tegangan pemicu gerbang

0.8

3.0

V

IH

Arus penahan

10

200

mA

VGD

Tegangan gerbang non-pemicu

VDM= 67%VDRM

125

0.2

V

Rth(j-c)

Resistansi termal Junction ke casing

Dingin sisi tunggal per chip

0.110

°C /W

Rth(c-h)

Resistansi termal casing ke heatsink

Dingin sisi tunggal per chip

0.040

°C /W

VISO

Tegangan isolasi

50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)

2500

V

Fm

Torsi koneksi terminal(M8)

10.0

12.0

Jumlah

Torsi pemasangan(M6)

4.5

6.0

Jumlah

TVj

Suhu persimpangan

-40

125

°C

TSTG

Suhu yang disimpan

-40

125

°C

Wt

Berat

1060

g

Rangka kerja

405F3