300A,600V~1800V,415F3
Brosur Produk:Unduh
Pengantar singkat
Modul Thyristor Turn-off Cepat ,MK(H)x 300 MK 300,3 00A .Udara pendinginan, diproduksi oleh TECHSEM .
VRRM,VDRM | Tipe & Garis Besar | |
600V | MKx300-06-415F3 | MHx300-06-415F3 |
800V | MKx300-08-415F3 | MHx300-08-415F3 |
1000V | MKx300-10-415F3 | MHx300-10-415F3 |
1200V | MKx300-12-415F3 | MHx300-12-415F3 |
1400V | MKx300-14-415F3 | MHx300-14-415F3 |
1600V | MKx300-16-415F3 | MHx300-16-415F3 |
1800V | MKx300-18-415F3 | MHx300-18-415F3 |
1800V | MK300-18-415F3G |
|
MKx berarti jenis apa pun dari MKC, MKA, MKK
MHx berarti jenis apa pun dari MHC, MHA, MHK
Fitur ：
Aplikasi Tipikal
Simbol |
Karakteristik |
Kondisi pengujian | Tj( °C ) | nilai |
unit | |||
Min | Jenis | Max. | ||||||
IT(AV) | Arus rata-rata dalam keadaan hidup | 180° gelombang setengah sinus 50Hz didinginkan sisi tunggal, |
TC=85 。C |
125 |
|
| 300 | A |
IT(RMS) | Arus on-state RMS |
|
| 471 | A | |||
Idrm Irrm | Arus puncak repetitif | pada VDRM pada VRRM | 125 |
|
| 80 | mA | |
ITSM | Arus dalam keadaan hidup lonjakan | 10ms gelombang setengah sinus VR=60%VRRM |
125 |
|
| 7.30 | kA | |
I2t | I2t untuk koordinasi peleburan |
|
| 266 | 103A 2S | |||
VTO | Tegangan Ambang |
|
125 |
|
| 1.36 | V | |
rT | Resistansi kemiringan dalam keadaan hidup |
|
| 0.38 | mΩ | |||
VTM | Tegangan puncak dalam keadaan hidup | ITM=900A | 25 |
|
| 2.20 | V | |
dv/dt | Laju kritis kenaikan tegangan off-state | VDM=67%VDRM | 125 |
|
| 800 | V/μs | |
di/dt | Tingkat kritis peningkatan arus pada keadaan aktif | Sumber gerbang 1.5A tr ≤0.5μs Berulang | 125 |
|
| 200 | A/μs | |
Tq | Waktu mati komutasi sirkuit | ITM=300A, tp=4000µs,VR= 100V dv/dt=30V/µs, di/dt=-20A/µs | 125 | 20 |
| 40 | μs | |
IGT | Arus pemicu gerbang |
VA= 12V, IA= 1A |
25 | 30 |
| 200 | mA | |
Vgt | Tegangan pemicu gerbang | 1.0 |
| 3.0 | V | |||
IH | Arus penahan | 20 |
| 200 | mA | |||
IL | Arus pengunci |
|
| 1000 | mA | |||
VGD | Tegangan gerbang non-pemicu | VDM= 67%VDRM | 125 |
|
| 0.2 | V | |
Rth(j-c) | Resistansi termal Junction ke casing | Dingin sisi tunggal per chip |
|
|
| 0.080 | °C /W | |
Rth(c-h) | Resistansi termal casing ke heatsink | Dingin sisi tunggal per chip |
|
|
| 0.040 | °C /W | |
VISO | Tegangan isolasi | 50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX) |
| 2500 |
|
| V | |
Fm | Torsi koneksi terminal(M10) |
|
| 10.0 |
| 12.0 | Jumlah | |
Torsi pemasangan(M6) |
|
| 4.5 |
| 6.0 | Jumlah | ||
TVj | Suhu persimpangan |
|
| -40 |
| 125 | °C | |
TSTG | Suhu yang disimpan |
|
| -40 |
| 125 | °C | |
Wt | Berat |
|
|
| 1260 |
| g | |
Rangka kerja | 415F3 | |||||||
Tim penjualan profesional kami menunggu konsultasi Anda.
Anda dapat mengikuti daftar produk mereka dan mengajukan pertanyaan apa pun yang Anda pedulikan.
EN
