Modul Thyristor Turn-off Cepat

VRRM,VDRM

Tipe & Garis Besar

600V

MKx150-06-413F3D

MHx150-06-413F3D

800V

MKx150-08-413F3D

MHx150-08-413F3D

1000V

MKx150-10-413F3D

MHx150-10-413F3D

1200V

MKx150-12-413F3D

MHx150-12-413F3D

1400V

MKx150-14-413F3D

MHx150-14-413F3D

1600V

MKx150-16-413F3D

MHx150-16-413F3D

1800V

MKx150-18-413F3D

MHx150-18-413F3D

1800V

MK150-18-413F3DG

Simbol

Karakteristik

Kondisi pengujian

Tj( °C )

nilai

unit

Min

Jenis

Max.

IT(AV)

Arus rata-rata dalam keadaan hidup

180° gelombang setengah sinus 50Hz Pendinginan sisi tunggal,Tc=85 °C

125

150

A

IT(RMS)

Arus on-state RMS

236

A

Idrm Irrm

Arus puncak repetitif

pada VDRM pada VRRM

125

50

mA

ITSM

Arus dalam keadaan hidup lonjakan

10ms gelombang setengah sinus VR=60%VRRM

125

3.4

kA

I2t

I2t untuk koordinasi peleburan

58

10³A ²S

VTO

Tegangan Ambang

125

1.78

V

rT

Resistansi kemiringan dalam keadaan hidup

0.70

m

VTM

Tegangan puncak dalam keadaan hidup

ITM=450A

25

2.65

V

dv/dt

Laju kritis kenaikan tegangan off-state

VDM=67%VDRM

125

800

V/μs

di/dt

Tingkat kritis peningkatan arus pada keadaan aktif

Sumber gerbang 1.5A

tr ≤0.5μs Berulang

125

200

A/μs

Tq

Waktu mati komutasi sirkuit

ITM=200A, tp=4000μs, VR=100V dv/dt=30V/μs,di/dt=-20A/μs

125

20

40

μs

25

6

16

μs

IGT

Arus pemicu gerbang

VA= 12V, IA= 1A

25

30

180

mA

Vgt

Tegangan pemicu gerbang

0.8

2.5

V

IH

Arus penahan

20

200

mA

IL

Arus pengunci

1000

mA

VGD

Tegangan gerbang non-pemicu

VDM= 67%VDRM

125

0.2

V

Rth(j-c)

Resistansi termal Junction ke casing

Dingin sisi tunggal per chip

0.130

°C /W

Rth(c-h)

Resistansi termal casing ke heatsink

Dingin sisi tunggal per chip

0.030

°C /W

VISO

Tegangan isolasi

50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)

2500

V

Fm

Torsi koneksi terminal(M8)

10.0

12.0

Jumlah

Torsi pemasangan(M6)

4.5

6.0

Jumlah

TVj

Suhu persimpangan

-40

125

°C

TSTG

Suhu yang disimpan

-40

125

°C

Wt

Berat

770

g

Rangka kerja

413F3D