MDx200, Modul Dioda (Tipe Non-terisolasi) ,TECHSEM

VRRM

Tipe & Garis Besar

800V 1000V 1200V 1400V 1600V 1800V

MDx200-08-213F4 MDx200-10-213F4 MDx200-12-213F4 MDx200-14-213F4 MDx200-16-213F4 MDx200-18-213F4

Simbol

Karakteristik

Kondisi pengujian

Tj( 。C)

nilai

unit

Min

TIPE

Max.

IF(AV)

Arus maju rata-rata

180° gelombang setengah sinus 50Hz

Pendinginan sisi tunggal, TC=100 ℃

150

200

A

IF(RMS)

Arus maju RMS

314

A

IRRM

Arus puncak repetitif

pada VRRM

150

20

mA

IFSM

Arus Maju Lonjakan

VR=60%VRRM, t=10ms setengah sinus

150

6.2

kA

I2t

I2t untuk koordinasi peleburan

192

103A2s

VFO

Tegangan Ambang

150

0.80

V

rF

Resistansi kemiringan maju

0.96

m Ω

VFM

Tegangan maju puncak

IFM=600A

25

1.50

V

Rth(j-c)

Resistansi termal Junction ke casing

Pada 180 ° Sinus. Sisi tunggal didinginkan per chip

0.20

℃ /W

Rth(c-h)

Resistansi termal casing ke heatsink

Pada 180 ° Sinus. Sisi tunggal didinginkan per chip

0.10

℃ /W

Fm

Torsi koneksi terminal(M6)

4.5

6.0

N ·m

Torsi pemasangan(M6)

4.5

6.0

N ·m

TVj

Suhu persimpangan

-40

150

℃

TSTG

Suhu yang disimpan

-40

125

℃

Wt

Berat

280

g

Rangka kerja

213F4