2000V~2500V, 210F2NA, 210F2NK
Brosur Produk:Unduh
Pengantar singkat
Modul Dioda (Tipe Tidak Terisolasi) ,MD 200,800V~1800V, 210F2NA, 210F2NK ，diproduksi oleh TECHSEM.
V RRM |
TIPE & Bentuk |
|
|
800V 1000V 1200V 1400V 1600V 1800V |
MD200-08-210F2NA MD200-10-210F2NA MD200-12-210F2NA MD200-14-210F2NA MD200-16-210F2NA MD200-18-210F2NA |
MD200-08-210F2NK MD200-10-210F2NK MD200-12-210F2NK MD200-14-210F2NK MD200-16-210F2NK MD200-18-210F2NK |
Fitur ：
Aplikasi Tipikal ：
|
Simbol |
Karakteristik |
Kondisi pengujian |
Tj( ℃ ) |
nilai |
unit |
||
Min |
TIPE |
Max. |
|||||
IF(AV) |
Arus maju rata-rata |
180° gelombang setengah sinus 50Hz Pendinginan sisi tunggal, TC=100 ℃ |
150 |
|
|
200 |
A |
IF(RMS) |
Arus maju RMS |
|
|
314 |
A |
||
IRRM |
Arus puncak repetitif |
pada VRRM |
150 |
|
|
8 |
mA |
IFSM |
Arus Maju Lonjakan |
VR=60%VRRM, t=10ms setengah sinus |
150 |
|
|
6.2 |
kA |
I2t |
I2t untuk koordinasi peleburan |
|
|
192 |
103A2s |
||
VFO |
Tegangan Ambang |
|
150 |
|
|
0.80 |
V |
rF |
Resistansi kemiringan maju |
|
|
0.96 |
mΩ |
||
VFM |
Tegangan maju puncak |
IFM=600A |
25 |
|
|
1.50 |
V |
Rth(j-c) |
Resistansi termal Junction ke casing |
Dingin sisi tunggal per chip |
|
|
|
0.20 |
。C/W |
Rth(c-h) |
Resistansi termal casing ke heatsink |
Dingin sisi tunggal per chip |
|
|
|
0.10 |
。C/W |
|
Fm |
Torsi koneksi terminal(M6) |
|
|
4.5 |
|
6.0 |
Jumlah |
Torsi pemasangan(M6) |
|
|
4.5 |
|
6.0 |
Jumlah |
|
TVj |
Suhu persimpangan |
|
|
-40 |
|
150 |
℃ |
TSTG |
Suhu yang disimpan |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
Wt |
Berat |
|
|
|
185 |
|
g |
Rangka kerja |
210F2NA, 210F2NK |
||||||
Tim penjualan profesional kami menunggu konsultasi Anda.
Anda dapat mengikuti daftar produk mereka dan mengajukan pertanyaan apa pun yang Anda pedulikan.
EN
