Modul IGBT 6500V

Parameter

Simbol

Kondisi

Min

Max.

unit

Kolektor-Emitter Tegangan

VCES

VGE=0V,Tvj ≥ 25°C

6500

V

arus kolektor DC

SayaC

tC =80°C

250

A

Arus puncak kolektor

SayaCM

tp=1ms,Tc=80°C

500

A

Tegangan gerbang-emitter

VGES

-20

20

V

Daya total dissipasi

Puntuk

tC=25°C,perswitch(IGBT)

3200

W

DC arus ke depan

SayaF

250

A

Puncak ke depan arus

SayaFRM

TP=1ms

500

A

IGBT pendek SIRKUIT SOA

tpsc

VCC =4400V,VCEMCHIP ≤ 6500V VGE≤ 15V,Tvj≤ 125°C

10

μS

Tegangan isolasi

Visolasi

1 menit, f=50Hz

10200

V

Suhu persimpangan

tvj

125

°C

Suhu operasi simpang

tvj(op)

-50

125

°C

Suhu kasus

tC

-50

125

°C

Suhu penyimpanan

tSTG

-50

125

°C

Torsi pemasangan

MS

4

6

Nm

mt1

8

10

Parameter

Simbol

Kondisi

Min

Jenis

Max.

unit

Kolektor (- emitter) tegangan pemutus

V ((BR) CES

VGE = 0V, IC = 3mA, Tvj=25°C

6500

V

Kolektor-Emitter Saturasi Tegangan

VCEsat

IC = 250A,V GE = 15V

Tvj= 25°C

2.6

3

3.4

V

Tvj = 125°C

3.4

4

4.6

V

Kolektor pemotongan arus

ICES

VCE = 6500V, VGE = 0V

Tvj= 25°C

4

mA

Tvj = 125°C

50

mA

Gerbang arus kebocoran

IGES

VCE = 0V, VGE = 20V, Tvj = 125°C

-500

500

NA

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

V GE (th)

IC=80mA, VCE=VGE, TVj=25°C

5.4

6.2

7

V

Waktu penundaan menyala

tD (on)

VCC = 3600V, IC=250A,

RGon=6,8Ω ,

RGoff=33Ω ,

CGE=100nF

VGE=± 15V,

Ls=280nH,

感性负载 (berkarakter)

TVj = 25 °C

1

μ S

TVj = 125 °C

0.94

Kenaikan Waktu

tr

TVj = 25 °C

0.76

TVj = 125 °C

0.81

Waktu penundaan pemutus

td ((off)

TVj = 25 °C

3.9

μ S

TVj = 125 °C

4.2

Waktu musim gugur

tF

TVj = 25 °C

2.2

TVj = 125 °C

2.8

Switching Nyalakan loss energy

EON

TVj = 25 °C

3081

mJ

TVj = 125 °C

3900

Switching Matikan loss energy

EMATI

TVj = 25 °C

2100

mJ

TVj = 125 °C

1236

Pendek arus sirkuit

SayaSC

TPSC ≤ 10μ s, V GE

=15V, Tvj=125°C, V CC =

4400V

TVj = 125 °C

940

A