Modul IGBT 1700V

Simbol

Deskripsi

V kelelawar

Unit

VCES

Tegangan kolektor-emitter

1700

V

VGES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

Ic

Arus Kolektor @ TC=25℃

Arus Kolektor @ TC=80℃

5200

A

3600

ICM(1)

Arus Kolektor Berdenyut tp= 1ms

7200

A

IF

Arus Maju Diode Berkelanjutan

3600

A

IFM

Arus Maju Maksimum Dioda @ TC=80℃

7200

A

PD

Dissipasi Daya Maksimum @ Tj=175℃

20

kW

Tj

Suhu Junction Maksimum

175

°C

TSTG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

°C

VISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1min

4000

V

Pemasangan

Sekrup Terminal Sinyal:M4

1.8 hingga 2.1

Sekrup Terminal Daya:M8

8.0 hingga 10

N.M

Torsi

Sekrup Pemasangan:M6

4.25 hingga 5.75

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V ((BR) CES

Kolektor-Emitter

Tegangan Pecah

Tj=25℃

1700

V

ICES

Arus pemotongan kolektor

VCE=VCES,VGE=0V, Tj=25℃

5.0

mA

IGES

Kebocoran Gerbang-Emitor

arus

VGE=VGES,VCE=0V, Tj=25℃

400

NA

VGE(th)

Ambang Gerbang-Emitor

Tegangan

IC=145mA, VCE=VGE, Tj=25°C

5.2

5.8

6.4

V

VCE (sat)

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

IC=3600A,VGE=15V, Tj=25℃

2.00

2.45

V

IC=3600A, VGE=15V, Tj=125°C

2.40

2.85

Qg

Biaya gerbang

VGE=-15…+15V

42.0

μC

RGint

Resistor Gerbang Internal

Tj=25℃

0.4

Ω

Td (on)

Waktu penundaan menyala

VCC=900V,IC=3600A, RGon=0.4Ω,

RGoff=0.5Ω,

VGE=±15V,Tj=25℃

730

n

tr

Waktu naik

205

n

Td (off)

Waktu penundaan pemutus

1510

n

TF

Waktu musim gugur

185

n

EON

Kerugian Saklar Nyalakan

498

mJ

EOFF

Kerugian Saklar Matikan

1055

mJ

Td (on)

Waktu penundaan menyala

VCC=900V,IC=3600A, RGon=0.4Ω,

RGoff=0.5Ω,

VGE=±15V,Tj=125℃

785

n

tr

Waktu naik

225

n

Td (off)

Waktu penundaan pemutus

1800

n

TF

Waktu musim gugur

325

n

EON

Kerugian Saklar Nyalakan

746

mJ

EOFF

Kerugian Saklar Matikan

1451

mJ

Ces

Kapasitas input

VCE=25V,f=1MHz,

VGE=0V

317

NF

Coes

Kapasitansi Output

13.2

NF

Cres

Transfer Balik

Kapasitansi

10.5

NF

Isc

Data SC

tSC≤10μs,VGE=15V,

Tj = 125°C,VCC = 1000V, VCEM ≤ 1700V

14000

A

LCE

Induktansi Sisa

10

nH

RCC’+EE’

Resistansi Koneksi Modul, Terminal ke Chip

0.12

mΩ

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V F

Dioda Maju

Tegangan

Saya F =3600A

t j =25 °C

1.80

2.20

V

t j =125 °C

1.90

2.30

Q R

Muatan yang Dipulihkan

Saya F =3600A,

V R =900V,

R Gon = 0,4Ω,

V GE = 15V

t j =25 °C

836

μC

t j =125 °C

1451

Saya RM

Pemulihan Terbalik arus

t j =25 °C

2800

A

t j =125 °C

3300

E REC

Pemulihan Terbalik energi

t j =25 °C

590

mJ

t j =125 °C

1051