Modul IGBT 1700V

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

VCES

Tegangan kolektor-emitter

1700

V

VGES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

Ic

Arus Kolektor @ TC=25oC

Arus Kolektor @ TC=65oC

4446

3600

A

ICM

Arus Kolektor Berdenyut tp=1ms

7200

A

PD

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ Tj=175oC

15.3

kW

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

VRRM

Tegangan Balik Puncak Berulang

1700

V

IF

Arus Maju Diode Berkelanjutan

3600

A

IFM

Arus Maju Maksimum Dioda tp=1ms

7200

A

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

Tjmax

Suhu Junction Maksimum

175

^O C

Tjop

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

^O C

TSTG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

^O C

VISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1min

4000

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

VCE (sat)

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

IC=3600A,VGE=15V, Tj=25oC

2.00

2.45

V

IC=3600A,VGE=15V, Tj=125oC

2.40

IC=3600A,VGE=15V, Tj=150oC

2.50

VGE(th)

Tegangan ambang gerbang-emitter

IC= 144.0mA,VCE=VGE, Tj=25oC

5.4

6.2

7.4

V

ICES

Pemotongan Kolektor

arus

VCE=VCES,VGE=0V,

Tj=25oC

5.0

mA

IGES

Listrik kebocoran gerbang-emitter

VGE=VGES,VCE=0V, Tj=25oC

400

NA

RGint

Resistensi Gerbang Dalam

0.53

Ω

Ces

Kapasitas input

VCE=25V,f=1MHz,

VGE=0V

240

NF

Cres

Transfer Balik

Kapasitansi

8.64

NF

Qg

Biaya gerbang

VGE=+15…+15V

21.6

μC

Td (on)

Waktu penundaan menyala

VCC=900V,IC=3600A, RG=0.5Ω,VGE=±15V, Tj=25oC

660

n

tr

Waktu naik

280

n

Td (off)

Waktu penundaan pemutus

1600

n

TF

Waktu musim gugur

175

n

EON

Switching Nyalakan

kerugian

650

mJ

EOFF

Switching Matikan

kerugian

1100

mJ

Td (on)

Waktu penundaan menyala

VCC=900V,IC=3600A, RG=0.5Ω,VGE=±15V, Tj=125oC

740

n

tr

Waktu naik

290

n

Td (off)

Waktu penundaan pemutus

1800

n

TF

Waktu musim gugur

315

n

EON

Switching Nyalakan

kerugian

800

mJ

EOFF

Switching Matikan

kerugian

1500

mJ

Td (on)

Waktu penundaan menyala

VCC=900V,IC=3600A, RG=0.5Ω,VGE=±15V, Tj=150oC

780

n

tr

Waktu naik

295

n

Td (off)

Waktu penundaan pemutus

1850

n

TF

Waktu musim gugur

395

n

EON

Switching Nyalakan

kerugian

900

mJ

EOFF

Switching Matikan

kerugian

1600

mJ

Isc

Data SC

tP≤10μs,VGE=15V,

Tj=150oC,VCC=1000V, VCEM≤1700V

14

kA

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

VF

Dioda Maju

Tegangan

IF=3600A,VGE=0V,Tj=25oC

1.80

2.25

V

IF=3600A,VGE=0V,Tj=125oC

1.95

IF=3600A,VGE=0V,Tj= 150oC

1.90

Qr

Muatan yang Dipulihkan

VR=900V,IF=3600A,

-di/dt= 12000A/μs,VGE=- 15V Tj=25oC

730

μC

IRM

Puncak Balik

arus pemulihan

2600

A

Erec

Energi Pemulihan Balik

490

mJ

Qr

Muatan yang Dipulihkan

VR=900V,IF=3600A,

-di/dt= 12000A/μs,VGE=- 15V Tj=125oC

1350

μC

IRM

Puncak Balik

arus pemulihan

3150

A

Erec

Energi Pemulihan Balik

950

mJ

Qr

Muatan yang Dipulihkan

VR=900V,IF=3600A,

-di/dt= 12000A/μs,VGE=- 15V Tj=150oC

1550

μC

IRM

Puncak Balik

arus pemulihan

3300

A

Erec

Energi Pemulihan Balik

1100

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

LCE

Induktansi Sisa

6.0

nH

RCC’+EE’

Resistansi Koneksi Modul, Terminal ke Chip

0.12

mΩ

RthJC

Junction-to-Case (per IGBT)

Junction-to-Case (per Diode)

9.8

16.3

K/kW

RthCH

Case-to-Heatsink (per IGBT)

Case-to-Heatsink (per Diode)

Case-to-Heatsink (per Module)

6.5

10.7

4.0

K/kW

m

Torsi Koneksi Terminal, Sekrup M4 Torsi Koneksi Terminal, Sekrup M8 Torsi Pemasangan, Sekrup M6

1.8

8.0

4.25

2.1

10

5.75

N.M

g

Berat Modul

2300

g