Modul IGBT 1200V

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C

@ T C =80 O C

1350

900

A

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t P = 1ms

1800

A

P D

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j = 150 O C

7.40

kW

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V RRM

Tegangan Balik Puncak Berulang

1200

V

Saya F

Diode terus menerus ke depan Cur =0V,

900

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t P = 1ms

1800

A

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

t jmax

Suhu Junction Maksimum

150

O C

t Jopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +125

O C

t STG

Suhu penyimpanan Rentang

-40 hingga +125

O C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t= 1 menit

4000

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

Saya C = 800A,V GE = 15V, t j =25 O C

2.90

3.35

V

Saya C = 800A,V GE = 15V, t j =125 O C

3.60

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C = 16,0 mA,V CE =V GE , T j =25 O C

5.0

6.1

7.0

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI

arus

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j =25 O C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor arus

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

NA

C ies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

53.1

NF

C res

Transfer Balik

Kapasitansi

3.40

NF

Q g

Biaya gerbang

V GE =- 15…+15V

8.56

μC

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C = 800A, R g = 1.3Ω,

V GE = ± 15V, t j =25 O C

90

n

t R

Waktu naik

81

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

500

n

t F

Waktu musim gugur

55

n

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

36.8

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

41.3

mJ

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C = 800A, R g = 1.3Ω,

V GE = ± 15V, t j = 125O C

115

n

t R

Waktu naik

92

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

550

n

t F

Waktu musim gugur

66

n

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

52.5

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

59.4

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤ 10μs,V GE = 15V,

t j =125 O C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

5200

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V F

Dioda Maju

Tegangan

Saya F = 800A,V GE =0V,T j =25 O C

1.95

2.40

V

Saya F = 800A,V GE =0V,T j = 125O C

1.95

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V CC = 900V,I F = 800A,

-di/dt=9500A/μs,V GE = ± 15V, t j =25 O C

56

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

550

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

38.7

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V CC = 900V,I F = 800A,

-di/dt=9500A/μs,V GE = ± 15V, t j = 125O C

148

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

920

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

91.8

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

L CE

Induktansi Sisa

12

nH

R CC+EE

Resistansi Kaki Modul, terminal ke chip

0.19

mΩ

R θ JC

Junction-to-Case (per IGB T)

Hubungan ke kasus (per D) yodium)

16.9

26.2

K/kW

R θ CS

Case-to-Sink (per IGBT)

Case-to-Sink (per Diode)

19.7

30.6

K/kW

R θ CS

Case-to-Sink

6.0

K/kW

m

Torsi koneksi terminal, Sekrup M4 Koneksi Terminal Torsi, Sekrup M8 Torsi pemasangan, Sekrup M6

1.8

8.0

4.25

2.1

10

5.75

N.M

g

Berat dari Modul

1500

g