Modul IGBT 1200V

Simbol

Deskripsi

GD600SGL120C2S

Unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

± 20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C = 25°C

@ T C = 100°C

950

A

600

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t P = 1ms

1200

A

Saya F

Arus Maju Diode Berkelanjutan

600

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Diode =0V,

1200

A

P D

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j = 175°C

3750

W

t SC

Pengecualian Dan waktu

10

μs

t jmax

Suhu Junction Maksimum

175

°C

t Jopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

°C

t STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

°C

Saya 2t-value, Diode

V R =0V,t=10ms,T j =125 °C

74000

A 2S

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V

Torsi Pemasangan

Terminal Sinyal Sekrup:M4

1.1 sampai 2.0

Sekrup Terminal Daya:M6

2.5 hingga 5.0

N.M

Pemasangan Sekrup:M6

3.0 sampai 5.0

Berat

Berat dari Modul

300

g

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V (BR )CES

Kolektor-Emitter

Tegangan Pecah

t j =25 °C

1200

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI arus

V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 °C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor

arus

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 °C

400

NA

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor

Tegangan

Saya C =24 mA ,V CE = V GE , t j =25 °C

5.0

6.2

7.0

V

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

Saya C =600A,V GE = 15V, t j =25 °C

1.9

V

Saya C =600A,V GE = 15V, t j = 125°C

2.1

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =600A, R g =3Ω,

V GE = ± 15 V, t j =25 °C

200

n

t R

Waktu naik

62

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

510

n

t F

Waktu musim gugur

V CC =600V,I C =600A, R g =3Ω,

V GE = ± 15 V, t j =25 °C

60

n

E PADA

Switching Nyalakan

kerugian

39

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

48

mJ

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =600A,

R g =3Ω,V GE = ± 15 V, t j = 125°C

210

n

t R

Waktu naik

65

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

600

n

t F

Waktu musim gugur

75

n

E PADA

Switching Nyalakan

kerugian

45

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

60

mJ

C ies

Kapasitas input

V CE =25V, f=1MHz,

V GE =0V

41.0

NF

C oes

Kapasitansi Output

3.1

NF

C res

Transfer Balik

Kapasitansi

2.0

NF

Saya SC

Data SC

t S C ≤ 10μs,V GE = 15V, t j =125 °C ,

V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

2600

A

L CE

Induktansi Sisa

20

nH

R CC ’+ EE ’

Resistansi lead modul e, terminal ke chip

t C =25 °C

0.18

m Ω

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V F

Dioda Maju

Tegangan

Saya F =600A

t j =25 °C

1.8

2.4

V

t j = 125°C

1.9

2.5

Q R

Dioda Mundur

biaya pemulihan

Saya F =600A,

V R =600V,

di/dt=-6000A/μs, V GE =- 15V

t j =25 °C

65

μC

t j = 125°C

100

Saya RM

Dioda Puncak

Pemulihan Terbalik arus

t j =25 °C

450

A

t j = 125°C

510

E REC

Pemulihan Terbalik energi

t j =25 °C

35

mJ

t j = 125°C

42

Simbol

Parameter

- Tempel.

Maks.

Unit

R θ JC

Junction-to-Case (Bagian IGBT, pe r Modul)

0.04

°C /W

R θ JC

Junction-to-Case (Diode Part, per Modu le)

0.09

°C /W

R θ CS

Case-to-Sink (Pelumas konduktif a pplied)

0.035

°C /W