Modul IGBT 1200V

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C

@ T C = 90 O C

1009

600

A

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t P = 1ms

1200

A

P D

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T = 150 O C

4032

W

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V RRM

Tegangan Balik Puncak Berulang

1200

V

Saya F

Diode terus menerus ke depan Cur =0V,

600

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t P = 1ms

1200

A

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

t jmax

Suhu Junction Maksimum

150

O C

t Jopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +125

O C

t STG

Suhu penyimpanan Rentang

-40 hingga +125

O C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1 Min

2500

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

Saya C =600A,V GE = 15V, t j =25 O C

2.15

2.60

V

Saya C =600A,V GE = 15V, t j =125 O C

2.65

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C = 24,0 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C

4.5

5.5

6.5

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI

arus

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j =25 O C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor arus

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

NA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

0.5

Ω

C ies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

40.8

NF

C res

Transfer Balik

Kapasitansi

2.64

NF

Q g

Biaya gerbang

V GE =-15…+15V

6.35

μC

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =600A, R g = 3,3Ω,

V GE = ± 15V, t j =25 O C

673

n

t R

Waktu naik

207

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

995

n

t F

Waktu musim gugur

154

n

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

23.1

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

88.5

mJ

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =600A, R g = 3,3Ω,

V GE = ± 15V, t j = 125O C

678

n

t R

Waktu naik

211

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

1047

n

t F

Waktu musim gugur

164

n

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

29.8

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

95.4

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤ 10μs,V GE = 15V,

t j =125 O C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

3600

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V F

Dioda Maju

Tegangan

Saya F =600A,V GE =0V,T j =25 O C

1.65

2.10

V

Saya F =600A,V GE =0V,T j = 125O C

1.65

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V CC =600V,I F =600A,

-di/dt=2750A/μs,V GE = ± 15V, t j =25 O C

55.7

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

288

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

26.4

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V CC =600V,I F =600A,

-di/dt=2750A/μs,V GE = ± 15V, t j = 125O C

98.5

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

375

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

48.5

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

L CE

Induktansi Sisa

20

nH

R CC+EE

Resistansi Koneksi Modul, Terminal ke Chip

0.18

mΩ

R thJC

Junction-to-Case (per IGB T)

Hubungan ke kasus (per D) yodium)

0.031

0.070

K/W

R thCH

Kasus-ke-Heatsink (per IGBT)

Kasus-ke-Heatsink (p (diode)

Kasus-ke-Heatsink (per Modul)

0.051

0.114

0.035

K/W

m

Torsi koneksi terminal, Sekrup M4 Koneksi Terminal Torsi, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M6

1.1

2.5

3.0

2.0

5.0

6.0

N.M

g

Berat dari Modul

300

g