Semua Kategori

Modul IGBT 1200V

Modul IGBT 1200V

Halaman Utama /  Produk  /  Modul IGBT /  Modul IGBT 1200V

GD600HFY120C6S, Modul IGBT, STARPOWER

Modul IGBT,1200V 600A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD600HFY120C6S
  • Pengenalan
  • Rangka kerja
Pengenalan

Pengantar singkat

Modul IGBT , diproduksi oleh STARPOWER. 1200V 600A.

Fitur

  • Teknologi Trench IGBT VCE(sat) Rendah
  • Kemampuan hubung singkat 10μs
  • VCE(sat) dengan koefisien suhu positif
  • Maksimum Suhu persimpangan 175oC
  • Kasing induktansi rendah
  • Pemulihan balik cepat & lembut anti-paralel FWD
  • Papan dasar tembaga terisolasi menggunakan teknologi DBC

Tipikal Aplikasi

  • Hibrida dan listrik ve kendaraan
  • Inverter untuk motor D Rive
  • Daya yang tak terputus R pasokan

Absolute Maksimum Peringkat t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

IGBT

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

1090

600

A

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t P = 1ms

1200

A

P D

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j = 175 O C

3947

W

Dioda

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V RRM

Tegangan Balik Puncak Berulang

1200

V

Saya F

Diode terus menerus ke depan Cur =0V,

600

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t P = 1ms

1200

A

Modul

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

t jmax

Suhu Junction Maksimum

175

O C

t Jopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

O C

t STG

Suhu penyimpanan Rentang

-40 hingga +125

O C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1 Min

2500

V

IGBT Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

Saya C =600A,V GE = 15V, t j =25 O C

1.70

2.15

V

Saya C =600A,V GE = 15V, t j =125 O C

1.90

Saya C =600A,V GE = 15V, t j = 150 O C

1.95

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C = 24,0 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C

5.2

5.8

6.4

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI

arus

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j =25 O C

1.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor arus

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

NA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

0.7

Ω

C ies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

62.1

NF

C res

Transfer Balik

Kapasitansi

1.74

NF

Q g

Biaya gerbang

V GE =- 15…+15V

4.62

μC

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =600A, R g =1.5Ω,V GE = ± 15V, t j =25 O C

136

n

t R

Waktu naik

77

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

494

n

t F

Waktu musim gugur

72

n

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

53.1

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

48.4

mJ

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =600A, R g =1.5Ω,V GE = ± 15V, t j =125 O C

179

n

t R

Waktu naik

77

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

628

n

t F

Waktu musim gugur

113

n

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

70.6

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

74.2

mJ

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =600A, R g =1.5Ω,V GE = ± 15V, t j = 150 O C

179

n

t R

Waktu naik

85

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

670

n

t F

Waktu musim gugur

124

n

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

76.5

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

81.9

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤ 10μs,V GE = 15V,

t j = 150 O C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

2400

A

Dioda Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V F

Dioda Maju

Tegangan

Saya F =600A,V GE =0V,T j =25 O C

1.95

2.40

V

Saya F =600A,V GE =0V,T j =125 O C

2.05

Saya F =600A,V GE =0V,T j = 150 O C

2.10

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V CC =600V,I F =600A,

-di/dt=4300A/μs,V GE =- 15V, t j =25 O C

58.9

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

276

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

20.9

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V CC =600V,I F =600A,

-di/dt=4300A/μs,V GE =- 15V, t j =125 O C

109

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

399

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

41.8

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V CC =600V,I F =600A,

-di/dt=4300A/μs,V GE =- 15V, t j = 150 O C

124

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

428

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

48.5

mJ

NTC Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

R 25

Rentang Rating

5.0

ΔR/R

Penyimpangan dari R 100

t C = 100 O C,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Daya

dissipasi

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

R 2=R 25Eksp [B 25/50 1/T 2-

1/ ((298.15K))]

3375

k

B 25/80

Nilai B

R 2=R 25Eksp [B 25/80 1/T 2-

1/ ((298.15K))]

3411

k

B 25/100

Nilai B

R 2=R 25Eksp [B 25/100 1/T 2-

1/ ((298.15K))]

3433

k

Modul Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

R thJC

Junction-to-Case (per IGB T)

Hubungan ke kasus (per D) yodium)

0.038

0.066

K/W

R thCH

Kasus-ke-Heatsink (per IGBT)

Kasus-ke-Heatsink (p (diode)

Kasus-ke-Heatsink (per Modul)

0.028

0.049

0.009

K/W

m

Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.M

g

Berat dari Modul

350

g

Rangka kerja

image(c537ef1333).png

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan menghubungi Anda segera.
Email
Nama
Nama Perusahaan
Pesan
0/1000

PRODUK TERKAIT

Punya pertanyaan tentang produk apa pun?

Tim penjualan profesional kami menunggu konsultasi Anda.
Anda dapat mengikuti daftar produk mereka dan mengajukan pertanyaan apa pun yang Anda pedulikan.

Dapatkan Penawaran

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan menghubungi Anda segera.
Email
Nama
Nama Perusahaan
Pesan
0/1000