Modul IGBT 1200V

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

Tegangan Gate-Emitter Transient

±20

± 30

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C

@ T C = 90 O C

873

600

A

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t P = 1ms

1200

A

P D

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j = 175 O C

2727

W

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang Usia

1200

V

Saya F

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

600

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t P = 1ms

1200

A

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

t jmax

Suhu Junction Maksimum

175

O C

t Jopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

O C

t STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

O C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS, f=50Hz, t = 1 menit

2500

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

Saya C =600A,V GE = 15V, t j =25 O C

1.75

2.20

V

Saya C =600A,V GE = 15V, t j =125 O C

2.00

Saya C =600A,V GE = 15V, t j = 150 O C

2.05

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C = 24,0 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI

arus

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j =25 O C

1.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor arus

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

NA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam

0.7

Ω

C ies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

55.9

NF

C res

Transfer Balik

Kapasitansi

1.57

NF

Q g

Biaya gerbang

V GE =- 15…+15V

4.20

μC

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =600A, R g = 1,5Ω

Aku tidak tahu. S =34nH, V GE = ± 15V,T j =25 O C

109

n

t R

Waktu naik

62

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

469

n

t F

Waktu musim gugur

68

n

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

42.5

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

46.0

mJ

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =600A, R g =1.5Ω,

L S = 34 nH ,

V GE = ± 15V,T j =125 O C

143

n

t R

Waktu naik

62

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

597

n

t F

Waktu musim gugur

107

n

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

56.5

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

70.5

mJ

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =600A, R g =1.5Ω,

L S = 34 nH ,

V GE = ± 15V,T j = 150 O C

143

n

t R

Waktu naik

68

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

637

n

t F

Waktu musim gugur

118

n

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

61.2

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

77.8

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤ 10μs,V GE = 15V,

t j = 150 O C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

2400

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V F

Dioda Maju

Tegangan

Saya F =600A,V GE =0V,T j =25 O C

1.95

2.40

V

Saya F =600A,V GE =0V,T j =1 25O C

2.05

Saya F =600A,V GE =0V,T j =1 50O C

2.10

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V CC =600V,I F =600A,

-di/dt=4300A/μs,V GE =- 15V, L S = 34 nH ,t j =25 O C

58.9

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

276

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

20.9

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V CC =600V,I F =600A,

-di/dt=4300A/μs,V GE =- 15V, L S = 34 nH ,t j =125 O C

109

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

399

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

41.8

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V CC =600V,I F =600A,

-di/dt=4300A/μs,V GE =- 15V, L S = 34 nH ,t j = 150 O C

124

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

428

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

48.5

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

L CE

Induktansi Sisa

20

nH

R CC+EE

Resistansi Koneksi Modul, Terminal ke Chip

0.35

mΩ

R thJC

Junction-to-Case (per IGB T)

Hubungan dengan Casing (per Di) (Inggris)

0.055

0.089

K/W

R thCH

Kasus-ke-Heatsink (per IGBT)

Kasus-ke-Heatsink (pe) r Dioda)

Kasus-ke-Heatsink (per M) odule)

0.032

0.052

0.010

K/W

m

Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

g

Berat dari Modul

300

g