Modul IGBT 1200V

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

925

600

A

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t P = 1ms

1200

A

P D

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j = 175 O C

3000

W

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V RRM

Tegangan Balik Puncak Berulang

1200

V

Saya F

Diode terus menerus ke depan Cur =0V,

600

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t P = 1ms

1200

A

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

t jmax

Suhu Junction Maksimum

175

O C

t Jopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

O C

t STG

Suhu penyimpanan Rentang

-40 hingga +125

O C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1 Min

4000

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

Saya C =600A,V GE = 15V, t j =25 O C

1.65

2.00

V

Saya C =600A,V GE = 15V, t j =125 O C

1.95

Saya C =600A,V GE = 15V, t j = 150 O C

2.00

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C = 24,0 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI

arus

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j =25 O C

1.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor arus

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

NA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

0.5

Ω

C ies

Kapasitas input

V CE = 25V, f = 100kHz, V GE =0V

60.8

NF

C res

Transfer Balik

Kapasitansi

1.84

NF

Q g

Biaya gerbang

V GE =- 15…+15V

4.64

μC

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =600A, R g = 1,2Ω,L S =20nH, V GE = ± 15V,T j =25 O C

308

n

t R

Waktu naik

42

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

431

n

t F

Waktu musim gugur

268

n

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

15.7

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

51.3

mJ

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =600A, R g = 1,2Ω, L S = 20 nH ,

V GE = ± 15V,T j =125 O C

311

n

t R

Waktu naik

49

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

467

n

t F

Waktu musim gugur

351

n

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

31.1

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

69.4

mJ

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =600A, R g = 1,2Ω, L S = 20 nH ,

V GE = ± 15V,T j = 150 O C

313

n

t R

Waktu naik

51

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

475

n

t F

Waktu musim gugur

365

n

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

34.8

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

71.1

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤ 10μs,V GE = 15V,

t j = 150 O C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

2400

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V F

Dioda Maju

Tegangan

Saya F =600A,V GE =0V,T j =25 O C

1.85

2.30

V

Saya F =600A,V GE =0V,T j = 125O C

1.90

Saya F =600A,V GE =0V,T j = 150O C

1.95

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V CC =600V,I F =600A,

-di/dt=13040A/μs,V GE =- 15V, t j =25 O C

38.1

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

524

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

34.9

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V CC =600V,I F =600A,

-di/dt=11220A/μs,V g E =- 15V, t j = 125O C

82.8

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

565

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

54.4

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V CC =600V,I F =600A,

-di/dt=11040A/μs,V g E =- 15V, t j = 150O C

94.7

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

589

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

55.8

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

L CE

Induktansi Sisa

20

nH

R CC+EE

Modul Lead Resista nce, terminal ke chip

0.35

mΩ

R thJC

Junction-to-Case (per IGB T)

Hubungan dengan Casing (per Di) (Inggris)

0.050

0.080

K/W

R thCH

Kasus-ke-Heatsink (per IGBT)

Kasus-ke-Heatsink (p (diode)

Kasus-ke-Heatsink (per Modul)

0.033

0.052

0.010

K/W

m

Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

g

Berat dari Modul

300

g